先進工藝節(jié)點的可靠性建模：BTI/HCI效應仿真與參數(shù)提取技術

隨著半導體工藝進入7nm及以下先進節(jié)點，器件尺寸的持續(xù)縮小導致可靠性問題日益凸顯。其中，負偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative Bias Temperature Instability, BTI）和熱載流子注入（Hot Carrier Injection, HCI）效應成為影響芯片長期穩(wěn)定性的關鍵因素。傳統(tǒng)基于經(jīng)驗模型的可靠性分析方法已難以滿足先進工藝的精度需求，而基于物理機制的仿真與參數(shù)提取技術成為解決這一難題的核心路徑。本文從BTI/HCI效應的物理機制出發(fā)，系統(tǒng)探討先進工藝節(jié)點下的可靠性建模方法，并分析其技術挑戰(zhàn)與未來方向。