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工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰(shuí)？
氮化鎵晶體管和碳化硅?MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開(kāi)關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可...
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基于電流極限比較器的設(shè)計(jì)
中心議題： 基于電流極限比較器的設(shè)計(jì) 電流極限比較器的新結(jié)構(gòu)及原理解決方案： 采用電流鏡網(wǎng)絡(luò)代替電阻網(wǎng)絡(luò) 采用TSMC0.25μm工藝模型 采用cascode結(jié)構(gòu)組成電流比較器 1.引言 開(kāi)關(guān)電源因體積
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基于電流極限比較器的設(shè)計(jì)
1.引言開(kāi)關(guān)電源因體積小、重量輕、效率高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)在電子、電器設(shè)備、家電等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，進(jìn)入了快速發(fā)展期。開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理為：在不同的負(fù)載情況下，反饋控制電路通過(guò)改變功率開(kāi)關(guān)管的占空
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一種新型的電流極限比較器
1.引言 開(kāi)關(guān)電源因體積小、重量輕、效率高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)在電子、電器設(shè)備、家電等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用， 進(jìn)入了快速發(fā)展期。開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理為： 在不同的負(fù)載情況下， 反饋控制電路通過(guò)改變功率開(kāi)關(guān)管
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