在5G通信、人工智能與集成電路技術(shù)高速發(fā)展的今天,電子元器件向高密度、高功率、微型化方向演進(jìn),其熱管理難題愈發(fā)凸顯。傳統(tǒng)環(huán)氧塑封料因熱膨脹系數(shù)(CTE)與芯片、基板不匹配,易引發(fā)界面分層、翹曲甚至失效,成為制約器件可靠性的關(guān)鍵瓶頸。西安交通大學(xué)胡磊教授團(tuán)隊提出的負(fù)熱膨脹材料Cu?V?O?填充方案,通過調(diào)控樹脂基復(fù)合材料的熱膨脹行為與熱傳導(dǎo)路徑,為解決這一難題提供了創(chuàng)新思路。