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EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
EPC推出采用緊湊型QFN封裝(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC轉換、快充、電機驅動和太陽能 MPPT等應用實現(xiàn)更高的功率密度。
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TI升級版在線電源設計工具，幫助電源設計師加速產(chǎn)品上市
你的團隊中可能沒有電源設計專家或布局專家，這讓你感到壓力重重。
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選擇合適功放來緩解LTE設備電量饑渴
目前，現(xiàn)代智能手機和高吞吐量4G網(wǎng)絡的功能與設計已遠超好幾年前。然而，實現(xiàn)出色的移動寬帶體驗并不是一件容易的事。今天的智能手機必須包含大量的功能，包括高清晰屏幕、
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Microchip將MCU與模擬電源管理集成
近日，Microchip宣布推出業(yè)界首款集成MCU的基于模擬的電源控制管理器MCP19111，該產(chǎn)品可以利用數(shù)字信號控制DC/DC轉換，可在4.5V至32V的寬電壓范圍內工作。 為什么需要MC
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汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E
功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實現(xiàn)各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處理與更大功率的MOSFET相同的功能。實際上，其 PowerPAK 8x8L 封裝比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而，SQJQ480E 可以同樣高效地處理相同的功率轉換、開關和電機控制任務，實測器件導通電阻(3毫歐): 也就是在 AEC-Q101車用 MOSFET 中取得迄今為止最低的導通損耗。
