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英飛凌OptiMOS? 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標準
【2025年5月16日, 德國慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺的 IBC級。應(yīng)用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當于每kW負載節(jié)省約4.3 W。如果能擴展到系統(tǒng)層面，如服務(wù)器機架或整個數(shù)據(jù)中心，則將帶來顯著的節(jié)能效果。
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英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
【2023年01月13日，德國慕尼黑訊】未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱(BSC)和雙面散熱(DSC)兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉(zhuǎn)換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護、電動工具以及充電器應(yīng)用的系統(tǒng)創(chuàng)新開辟了新的可能性。
