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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準車規(guī)級薄膜片狀電阻，提供更高的電阻公差精度和溫度系數(shù) (TCR)
Bourns? CRT-A 系列滿足了汽車、手機、SD卡、DDR內存和相機模塊等應用需求對小型、高精度電阻的日益增長。
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DDR內存會很快被HBM內存淘汰嗎？
這一年來有關國內公司進軍內存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎在DDR3內存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內存，下半年還會推出更主流的DDR4內存芯片，正在努力追趕國際主流水平。但是放眼整個內存市場，DDR5內存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內存也很可能被更新的技術淘汰，業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內存將死的看法，未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉向HBM內存，2020年會有HBM 3內存，2024年則會有HBM 4內存，屆時帶寬可達8TB/s，單插槽容量可達512GB。
