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DDR2內(nèi)存采用了哪些技術?DDR2內(nèi)存和DDR內(nèi)存有什么區(qū)別?
為增進大家對內(nèi)存的認識，本文將對DDR2內(nèi)存采用的技術以及DDR2內(nèi)存和DDR內(nèi)存的區(qū)別予以介紹。
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如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關鍵技術下手
差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計，但大家對CK#（CKN）的作用認識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。
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DDR 測試系列之二—— WaveScan 技術分離 DDR2 的讀寫周期
測量DDR2存儲設備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領
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基于千兆網(wǎng)的FPGA多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計
FPGA豐富的邏輯資源、充沛的I/O引腳以及較低的功耗，被廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)和高速數(shù)據(jù)通信領域。現(xiàn)如今，各大FPGA生產(chǎn)廠商為方便用戶的設計和使用，提供了較多的、可利用的IP核資源，極大地減少了產(chǎn)品的開發(fā)周期和
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基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設計與仿真
現(xiàn)代電子設計和芯片制造技術正在飛速發(fā)展，電路的復雜度、元器件布局以及布線密度、開關速度、時鐘和總線頻率等各項指標參數(shù)都呈快速上升趨勢。當上升時間超過傳輸延時的1/
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。DDR2
