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DDR6預(yù)布局信號(hào)完整性：ODT參數(shù)自適應(yīng)與三維封裝協(xié)同仿真方法
隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理需求的飛速增長(zhǎng)，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存技術(shù)不斷迭代升級(jí)。DDR6作為新一代高速內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，其數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升，這對(duì)信號(hào)完整性提出了更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。在DDR6預(yù)布局階段，確保信號(hào)完整性至關(guān)重要，其中ODT（On-Die Termination，片上終端電阻）參數(shù)自適應(yīng)與三維封裝協(xié)同仿真方法是解決信號(hào)完整性問(wèn)題的關(guān)鍵技術(shù)手段。
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SK海力士：2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，DDR6也開始策劃了！
近日，SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
