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Exagan

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ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。

意法半導(dǎo)體
2021-09-07

氮化鎵 ST Exagan
意法半導(dǎo)體收購(gòu)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)

此次收購(gòu)將大幅提高意法半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費(fèi)級(jí)高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴(kuò)大其開發(fā)計(jì)劃和業(yè)務(wù)

意法半導(dǎo)體
2020-03-06

收購(gòu) exagan 氮化鎵

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