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ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動器IC
采用業(yè)界先進的納秒量級柵極驅(qū)動技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應用的小型化和進一步節(jié)能
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ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動控制”IC 技術(shù)
將GaN器件與控制IC相結(jié)合，助力電源應用進一步節(jié)能和小型化
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世代更替
人類世代的演變很慢，在現(xiàn)在人們的記憶中，有“嬰兒潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到現(xiàn)在又奇怪地稱為“A”世代。我覺得這是因為字母已經(jīng)被用光了。而在半導體領域，世代的發(fā)展較快，從2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET開始，UnitedSiC SiC FET現(xiàn)已發(fā)展到了第4代。
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ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)
～解決了GaN器件的柵極耐壓問題，并有助于基站和數(shù)據(jù)中心等領域的電源實現(xiàn)更低功耗和小型化～
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淺談GaN器件與數(shù)據(jù)中心的關(guān)系
在我們現(xiàn)在的日常生活中，每天都有不斷增長的數(shù)據(jù)被產(chǎn)生、存儲及服務，而社交網(wǎng)絡、在線視頻、物聯(lián)網(wǎng)設備和汽車高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)則是這些數(shù)據(jù)尤其主要的貢獻者。以ADAS為例，數(shù)據(jù)存儲咨詢公
