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GaN應(yīng)用

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  • 氮化鎵將走向何方？

    增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) 晶體管已商用五年多。市售的 GaN FET 設(shè)計為比最先進(jìn)的硅基功率 MOSFET 具有更高的性能和更低的成本。這一成就標(biāo)志著 60 年來第一次在性能和成本方面任何技術(shù)都可以與硅相媲美，并標(biāo)志著古老但老化的功率 MOSFET 的最終取代。