-
瑞薩電子推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力，適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應(yīng)用
基于成熟的SuperGaN技術(shù)，650V第四代增強(qiáng)型產(chǎn)品。憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強(qiáng)勁性能。
-
GaN FET：音響發(fā)燒友的首選技術(shù)
從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因?yàn)?GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。
