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垂直GAN晶體管技術發(fā)展的進步
氮化鎵(GAN)電源設備正在看到在一系列低至中型應用程序中的使用量增加，包括移動設備電源適配器，數(shù)據(jù)中心電源和電子示波器。通常使用側向高電子遷移式晶體管(HEMT)。將GAN功率設備的應用范圍擴展到更高的電壓和功率可能需要使用受青睞的垂直幾何形狀。在本文中，我們將總結日本大阪大學的一組對GAN基板和垂直設備工藝流以及其物理和電氣表征的工作。
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使用雙向 GaN 開關實現(xiàn)單級功率轉換
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術，代表了電力電子領域的一項非凡創(chuàng)新，特別是在實現(xiàn)單級功率轉換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設計的轉換器，與傳統(tǒng)兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。
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通過自動動態(tài)開關測試研究 p-GaN HEMT 上的電應力
氮化鎵(GaN)基功率半導體在功率轉換方面具有許多優(yōu)勢。它們在許多應用中的使用不斷增加，例如移動設備的電源適配器和數(shù)據(jù)中心的電源。橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是應用最廣泛的 GaN 器件。該器件的退化機制已被廣泛研究并被納入可靠性測試標準。
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雙向GaN功率IC有何用途？
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應用，從電機驅動器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設備、電動自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關的應用可能性示例。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間
在工業(yè)電機驅動功率轉換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應用中，降低轉換損耗是實現(xiàn)凈零碳足跡以應對氣候變化的關鍵部分，因為電機驅動器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。
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集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過壓穩(wěn)定性
功率轉換器中使用的氮化鎵 (GaN) 器件具有多種優(yōu)勢，包括更高的效率、功率密度和高頻開關。橫向 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件在此類應用中實現(xiàn)了強勁的市場增長。這種本質上為耗盡模式的器件的柵極驅動具有挑戰(zhàn)性，有許多解決方案可以將其轉變?yōu)榉€(wěn)健的增強模式操作。
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我們能獲得更好的音頻放大器嗎？是的，用氮化鎵！
音頻是一個復雜的應用，尤其是對于發(fā)燒友領域各個層面的需求。最近，基于氮化鎵（GaN）技術的高電子遷移率晶體管（HEMT）技術規(guī)格已經(jīng)為更好利用D類放大器性能鋪平了道路。
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利用阻性負載增強LNA穩(wěn)定性(上)
本文提出了一個預測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。
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利用阻性負載增強LNA穩(wěn)定性(下)
本文提出了一個預測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。
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氮化鎵功率技術大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士
