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電源管理市場(chǎng)未來(lái)五年前景良好
據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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電源管理市場(chǎng)未來(lái)五年前景良好
據(jù)IHSiSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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繼2011年底慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體第二季度開(kāi)始復(fù)蘇
據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。 第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入
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繼2011年底慘跌之后 電源管理半導(dǎo)體第二季度開(kāi)始復(fù)蘇
據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將
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Microsemi發(fā)布新一代超高效NPT IGBT
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通
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80V 25A高精度穩(wěn)流電源的研制
1 引言作為電真空微波放大管的一種，速調(diào)管以其功率大﹑效率高的優(yōu)勢(shì)得到了廣泛的應(yīng)用。而速調(diào)管一般都需要外加一個(gè)聚焦磁場(chǎng)。為了使速調(diào)管電子槍所打出的電子注不被散射損耗掉，這就要求磁場(chǎng)電源具有較好的電流穩(wěn)定
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IR推出推出600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器
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太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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繼2011年底慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體第二季度開(kāi)始復(fù)蘇
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)
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IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)
1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，由于其輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因，IG
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太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在。 簡(jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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解讀太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)的最新趨勢(shì)
由于能源成本日益攀升，太陽(yáng)能發(fā)電正逐漸成為一項(xiàng)可行的替代能源。德國(guó)政府通過(guò)立法，推出各種激勵(lì)手段積極鼓勵(lì)可再生能源的使用(如《再生能源法》“Energieeinspeisungsgesetz”)，受此驅(qū)使，至2007年，該
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安森美半導(dǎo)體推出高性能場(chǎng)截止型IGBT
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的場(chǎng)截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT)，目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種
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IGBT-汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的佼佼者
新一代點(diǎn)火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點(diǎn)火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無(wú)需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈)，以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子學(xué)教科書(shū)告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級(jí)繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級(jí)繞組上將產(chǎn)生高
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IGBT-汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的佼佼者
新一代點(diǎn)火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點(diǎn)火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無(wú)需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈)，以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子學(xué)教科書(shū)告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級(jí)繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級(jí)繞組上將產(chǎn)生高
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