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三相IGBT全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)
摘要：設(shè)計(jì)了一種基于電流型PWM控制器UC3845的三相IGBT全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源。采用單端反激式結(jié)構(gòu)，電壓反饋與電流反饋組成雙閉環(huán)串級(jí)結(jié)構(gòu)。TL431a與PC817組成反饋網(wǎng)絡(luò)，旁路掉UC3845內(nèi)部誤差放大器，反饋信號(hào)直接輸入到
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雜散電感對(duì)高效IGBT逆變器設(shè)計(jì)的影響
IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開(kāi)關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號(hào)器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿?。這些型號(hào)包
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綠色能源計(jì)劃推動(dòng)中國(guó)IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)
據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。由于功
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銅進(jìn)金退 長(zhǎng)電科技加快技術(shù)改造
[世華財(cái)訊]近年來(lái)，隨著封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，封裝所需要的材料也在逐步改進(jìn)，封裝行業(yè)正在經(jīng)歷銅取代金的轉(zhuǎn)變。由于黃金價(jià)格最近幾年的持續(xù)飆升，加快了封裝行業(yè)銅制程的推進(jìn)，很多芯片廠商開(kāi)始紛紛改用銅線鍵合，這
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
21ic訊 從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高壓變頻器主電路圖分析及其應(yīng)用
1.引言 目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)栴}，近年來(lái)通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應(yīng)用領(lǐng)域和范圍也越來(lái)越為
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高壓變頻器主電路圖分析及其應(yīng)用
1.引言 目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)栴}，近年來(lái)通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應(yīng)用領(lǐng)域和范圍也越來(lái)越為
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Diodes 40V閘極驅(qū)動(dòng)器減少IGBT開(kāi)關(guān)損耗
Diodes 公司推出專為開(kāi)關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器(gate driver) ，有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí)，該閘極驅(qū)動(dòng)器通?？商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電流，使其
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應(yīng)對(duì)焊接斷裂，IGBT生產(chǎn)商如何應(yīng)對(duì)新挑戰(zhàn)？
由于能源成本的上升，混合電力傳動(dòng)系統(tǒng)在汽車應(yīng)用中變得越來(lái)越流行?；旌想娏鲃?dòng)系統(tǒng)把由大型電池組供電的三相交流電機(jī)作為內(nèi)燃機(jī)的動(dòng)力補(bǔ)充。逆變器電路用于將電池的直流電壓轉(zhuǎn)換為適于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的更高的
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如何選擇太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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如何選擇太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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如何選擇太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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Diodes 40V 閘極驅(qū)動(dòng)器減少 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗
21ic訊 Diodes 公司推出專為開(kāi)關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器（gate driver） ，有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí)，該閘極驅(qū)動(dòng)器通?？商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電
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IGBT：新應(yīng)用帶動(dòng)革新 國(guó)內(nèi)仍處追趕階段
前些年消費(fèi)電子和工業(yè)控制是推動(dòng)IGBT市場(chǎng)快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來(lái)了新的春天，而這些應(yīng)用帶來(lái)新的課題，與之相
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IMS Research發(fā)布2010年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)報(bào)告
根據(jù)IMS Research的最新報(bào)告，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁反彈，年增長(zhǎng)率達(dá)到43%，銷售額大概為160億美元，模塊產(chǎn)品增長(zhǎng)率達(dá)到了65%，遠(yuǎn)高于分立功率器件。該報(bào)告認(rèn)為，英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場(chǎng)份額最大，三菱及
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IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)
摘要：分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，并對(duì)主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說(shuō)明，同時(shí)提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，該電路對(duì)逆變器的
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電磁爐檢測(cè)電路工作原理
1 電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路 電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比，單片機(jī)以此電壓為依據(jù)，與內(nèi)部設(shè)定值進(jìn)行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過(guò)允許值
