同步整流驅(qū)動芯片的10ns級導通延遲選型：MPS MP6924與Silergy SY5875的交叉導通風險評估

同步整流驅(qū)動芯片的導通延遲精度已成為決定系統(tǒng)效率與可靠性的核心參數(shù)。當導通延遲縮短至10ns級時，MOSFET的開關(guān)動作與變壓器次級電壓的同步誤差被壓縮至極限，此時交叉導通風險如同懸在工程師頭頂?shù)倪_摩克利斯之劍。本文以MPS MP6924與Silergy SY5875兩款典型芯片為樣本，從時序控制、驅(qū)動能力、保護機制三個維度，解析10ns級延遲下的交叉導通風險評估方法。