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N3

我要報(bào)錯(cuò)

  • 臺(tái)積電 3nm 工藝良率 63%，正在追趕自家 4nm 良率

    據(jù) 21ic 信息報(bào)道，臺(tái)積電的第一代 3nm 工藝(N3)仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)制程工藝，在去年最后的幾天在南科廠正式投入開始商業(yè)量產(chǎn)，隨后產(chǎn)能在不斷提升。有報(bào)道稱已經(jīng)量產(chǎn)了一個(gè)季度的臺(tái)積電 3nm(N3)制程工藝目前的良率約為 63%，正在追趕自家 4nm 良率。