英飛凌推出用于電動(dòng)汽車的新一代高功率節(jié)能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片

【2025年6月18日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著純電動(dòng)汽車(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)銷量的快速增長(zhǎng)，電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年，電動(dòng)汽車的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右 [1]。為滿足對(duì)高壓汽車IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 EDT3(第三代電力傳動(dòng)系統(tǒng))芯片，以及為 800 V 系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動(dòng)系統(tǒng)的性能，尤其適用于汽車應(yīng)用。