ReRAM：DRAM和NAND的最強繼任者？

存儲器是半導體產(chǎn)業(yè)的重要分支，約占全球半導體市場的四分之一至三分之一。存儲器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。盡管存儲器產(chǎn)品品類眾多，但從產(chǎn)品營收貢獻的角度來看，DRAM和Flash(NAND、NOR)的營收占比超95%。

比NAND快千倍40nm ReRAM在中芯投產(chǎn) 2016年VR銷量630萬臺

物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，覆蓋領(lǐng)域繁多，2017年新年過后，機器人、VR、5G領(lǐng)域都有最新產(chǎn)品和頻譜劃分的演進工作進展，小編匯總最新的新聞，讓大家看到最新的趨勢。例如美國機器人研發(fā)公司Agility Robo

富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品

擁有業(yè)界最低讀取電流的內(nèi)存，適用于小型穿戴裝置

邊緣AI計算興起？ReRAM技術(shù)或?qū)缪菀牵?/a>

FRAM、NRAM、ReRAM！富士通實力證明自家存儲技術(shù)

在高性能的應(yīng)用，如智能汽車、小型的醫(yī)療設(shè)備這個領(lǐng)域，需要高性能、高耐久性的電子系統(tǒng)，它的存儲技術(shù)未來會是什么樣的選擇方向和創(chuàng)新趨勢呢?2018年4月11日，在第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望

新形ReRAM存儲器帶來低能耗設(shè)計

物聯(lián)網(wǎng)(IoT)通過廣泛的應(yīng)用，如智能家庭，智能樓宇，智能工廠以及智慧城市，將所有的設(shè)備和人們彼此互聯(lián)互通，因而具備了驅(qū)動價值數(shù)萬億美金應(yīng)用的巨大潛力。摩爾定律在開創(chuàng)更快速、更小巧、更低廉的設(shè)備方面仍然發(fā)揮著作用。其它先進技術(shù)，諸如可以將各種微小的傳感器和基于云端應(yīng)用互聯(lián)的低功耗、低成本的通信系統(tǒng)，開創(chuàng)了從信息共享方式中收獲頗豐的新型商業(yè)模式。然而，這也面臨著諸多障礙。

ReRAM技術(shù)的難題：測試

隨著AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的興起，業(yè)界對于存儲的要求達到了一個新的高度。但現(xiàn)在主流的存儲中，NAND的傳輸速度比較慢，而傳輸較快的DRAM則是易失性的，這就推動存儲供應(yīng)商往下一代的存儲進軍，其中ReRAM就是其中一個代表。

3D NAND Flash與ReRAM新制程之間的“戰(zhàn)爭”，究竟鹿死誰手

莫斯科物理技術(shù)學院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…

ReRA能拯救快退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際？

比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際，為何鎖定瞄準ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長的電池續(xù)航力，一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。

比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。

趕超日韓不是夢 國產(chǎn)化芯片比NAND快一千倍

存儲芯片一直是數(shù)碼、家電等領(lǐng)域的必備芯片之一，企業(yè)代表著一個國家芯片的發(fā)展程度，它的重要性就如同前陣子國產(chǎn)“圓珠筆頭”獲得成功一樣。無論是產(chǎn)業(yè)鏈來說，還是實際應(yīng)用，存儲芯片都顯得很重要。