在數(shù)據(jù)中心高并發(fā)存儲場景中,NVMe SSD的I/O延遲優(yōu)化是性能突破的關(guān)鍵。本文通過Rust語言實現(xiàn)PCIe設(shè)備驅(qū)動的DMA環(huán)形緩沖區(qū)與MSI-X中斷深度優(yōu)化,在實測中使NVMe SSD的P99延遲降低40%,吞吐量提升2.3倍。
泰克全棧式電源測試解決方案來襲,讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
ARM裸機(jī)第八部分-按鍵和CPU的中斷系統(tǒng)
印刷電路板設(shè)計進(jìn)階
PID算法
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