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如何借助高均勻性的 SOI 優(yōu)化襯底在 MEMS 中實現(xiàn)多種設計創(chuàng)新？
微機電系統(tǒng) (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潛力的 CMOS 傳感器與驅動器電子器件集成解決方案。通過在 200mm 的單晶頂層硅下提供氧化埋層，SOI 襯底能夠為創(chuàng)新的 MEMS 器件設計提供更多可能。
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SOI國際產業(yè)聯(lián)盟加入SEMI，成為策略合作伙伴
SOI國際產業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命，加速SOI行業(yè)的發(fā)展，并為成員帶來新的商機。SEMI通過與SOI國際產業(yè)聯(lián)盟的合作，可加深其在材料技術方面的布局，并幫助會員與處于創(chuàng)新前沿領域的關鍵參與者建立聯(lián)系，從而進行合作，探索新的技術和商機。
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FD-SOI技術有何優(yōu)勢？還是物聯(lián)網的理想解決方案？
若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光（EUV）微影技術的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工業(yè)者著眼于應用廣泛、無所不
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區(qū)塊鏈無法解決醫(yī)療數(shù)據的互操作性問題
許多人認為區(qū)塊鏈能解決世界上所有的問題，包括幾十年來困擾醫(yī)療行業(yè)的問題：醫(yī)療記錄和數(shù)據的互操作性。雖然區(qū)塊鏈和醫(yī)療記錄的互操作性可能具有共生關系，但區(qū)塊鏈并沒有解決醫(yī)療數(shù)據的互操作性問題。
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半導體嚴重衰退之年，Soitec何以實現(xiàn)飛速增長?
根據集邦科技發(fā)布的報告，2019年全球半導體行業(yè)產值將下滑13%，創(chuàng)下10年來最嚴重的衰退。在整個半導體行業(yè)都不太理想的大背景下，有一家企業(yè)卻如一匹黑馬，憑借SOI優(yōu)化襯底技術一騎絕塵，實現(xiàn)了30%的業(yè)務增長，它就是
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Melexis最新LIN RGB LED控制器可提供簡化使用方式，提升車內氛圍燈應用性能
MLX81113為車內氛圍燈應用提供更多功能，簡化設計過程，并且符合ISO 26262 ASIL-A應用等級。
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Soitec發(fā)布2020財年第二季度業(yè)績報告，收入同比增長46%
作為設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司于10月15日公布了2020財年第二季度業(yè)績(截止至2019年9月30日)。2020財年第二季度收入1.39億歐元，同比增長46%。據報告，2020財年第二季度收入較
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超越SOI，Soitec將優(yōu)化襯底技術向GaN、SiC擴展
Soitec是全球優(yōu)化襯底最大的制造商，憑借其兩個核心技術-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec為行業(yè)提供創(chuàng)新的材料及優(yōu)化襯底設計，這些創(chuàng)新被用于加工晶體管，從而為智能手機、汽車、云、物聯(lián)網等領域的終端產品帶來
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SOI 產業(yè)聯(lián)盟上海論壇期間頒獎，頒發(fā)RF-SOI技術發(fā)展貢獻獎
9月17日消息， SOI產業(yè)聯(lián)盟(SOI微電子完整價值鏈的領先行業(yè)組織)今日宣布了半導體行業(yè)的兩位杰出獲獎者，分別是來自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事長兼首席技術官Jim Cable和中芯集成電路(寧波)有限公司的
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Soitec參加第七屆SOI產業(yè)高峰論壇，全方位助力5G發(fā)展
作為設計和生產創(chuàng)新半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司于9月16日和17日出席了第七屆上海FD-SOI論壇和國際RF-SOI研討會，探討SOI及其它優(yōu)化襯底如何助力5G及AIoT快速發(fā)展。本屆由SOI國際產業(yè)聯(lián)盟舉辦的峰
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5G快車道上，優(yōu)化襯底需求戰(zhàn)已打響
眾所周知現(xiàn)今中國正處在由4G到5G的轉變進程中，自6月初四大運營商獲得工信部授予的5G商用牌照起，國內半導體行業(yè)就已打響5G的“突擊戰(zhàn)”。優(yōu)化襯底作為半導體生態(tài)系統(tǒng)的重要組成部分， 5G對于優(yōu)化襯底的需求則更大。7月11日21ic中國電子網記者受邀參加Soitec主題為“優(yōu)化襯底，賦能5G”的論壇宣講和采訪活動。
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除了SOI，Soitec還有GaN與遠方
作為設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)，Soitec于約兩月前以3000萬歐元的價格收購了氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN。通過此次收購，Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導體產品系列中增加了GaN技術，也將借助GaN在5G中的優(yōu)勢，進一步擴大功率放大器市場。
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Soitec發(fā)布2019財年報告，銷售額勁增42%
作為設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司于6月12日公布了2019財年的全年業(yè)績(截至2019年3月31日)。 財務報表[1]已于當日會議上獲董事會批準。
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Soitec收購EpiGaN nv，優(yōu)化襯底產品整合氮化鎵(GaN)優(yōu)勢
法國Soitec半導體公司日前宣布，已與歐洲領先的氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。同時，這一協(xié)議還將根據盈利能力支付計劃支付額外的獎金。 EpiGaN的GaN產品主要用于RF(射頻)、5G、電子元器件和傳感器應用。預計未來五年內，GaN技術的市場應用規(guī)模將達到每年50萬至一百萬個晶圓。
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攜SOI技術助力半導體制造，Soitec宣布中國市場發(fā)展新戰(zhàn)略
作為設計和生產創(chuàng)新半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司日前宣布在中國開啟銷售渠道。
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SOI與FinFET技術誰更優(yōu)
法國Soitec已實現(xiàn)FD-SOI晶園的高良率成熟量產，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進的節(jié)點上大規(guī)模采用FD-SOI技術。如今，全球有三家位于三大洲的公司能夠供應FD-SOI晶圓，包括法國Soitec、日本信越半導體(SHE)、美國SunEdison。這三家公司均采用了行業(yè)標準的SOI晶園制造技術，智能剝離(Smart Cut™)。
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Peregrine UltraCMOS推進RF SOI性能新進化
Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術的奠基者和先進的射頻解決方案的領先公司。在去年年底村田制作所完成對Peregrine的收購之后，雙方開展了基于Peregrine先進技術UltraCMOS和合作。Peregrine產品營銷總監(jiān)
