12月26日消息,據(jù)媒體報道,在國際微電子領域頂級學術會議IEDM第70屆年度會議上,來自中國的浙江馳拓科技發(fā)布了一項突破性的SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器)技術進展,解決了該技術在大規(guī)模生產中面臨的主要挑戰(zhàn)。
我與貿澤不得不說的秘密,如何讓選型和設計更輕松與愜意?
IT004知識茫茫多不知道該學哪個
C 語言靈魂 指針 黃金十一講 之(7)
野火F407開發(fā)板-霸天虎視頻-【高級篇】
野火F429開發(fā)板-挑戰(zhàn)者教學視頻(入門篇)
內容不相關 內容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21IC電子網(wǎng) 2000- 版權所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com 電話:010-82165003 )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號