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中國公司實現(xiàn)SOT-MRAM存儲關鍵突破
12月26日消息，據(jù)媒體報道，在國際微電子領域頂級學術會議IEDM第70屆年度會議上，來自中國的浙江馳拓科技發(fā)布了一項突破性的SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器)技術進展，解決了該技術在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。
12月26日消息，據(jù)媒體報道，在國際微電子領域頂級學術會議IEDM第70屆年度會議上，來自中國的浙江馳拓科技發(fā)布了一項突破性的SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器)技術進展，解決了該技術在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。
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