在消費(fèi)電子領(lǐng)域,超薄化與高功率密度已成為快充電源設(shè)計(jì)的核心趨勢。以65W氮化鎵(GaN)快充為例,其功率密度已突破1.8W/cm3,厚度壓縮至10mm以內(nèi)。這一突破性進(jìn)展的背后,平面變壓器憑借其高頻適配性、低寄生參數(shù)特性及立體散熱能力,成為替代傳統(tǒng)繞線式變壓器的關(guān)鍵元件。本文以伍爾特電子WE-PD系列與TDK B86303系列平面變壓器為例,解析其在超薄65W快充中的寄生電容抑制技術(shù)差異。
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跟我學(xué)DC-DC電源管理技術(shù)——第一章,常用DC-DC技術(shù)解析
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深度剖析 C 語言 結(jié)構(gòu)體/聯(lián)合/枚舉/位域:鉑金十三講 之 (11)
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