自問世以來,NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
自問世以來,NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
自問世以來,NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的