電子器件向著小型化方向發(fā)展，GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小，從而簡化了設計過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作，移動速度最高可快10倍。
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