隨著英特爾、三星和臺(tái)積電全面量產(chǎn)14/16納米工藝,且積極朝10納米、7納米邁進(jìn),半導(dǎo)體技術(shù)已正式跨入FinFET時(shí)代。不過(guò),F(xiàn)inFET工藝節(jié)點(diǎn)無(wú)論在設(shè)計(jì)上,還是制造端,都對(duì)工程師提出更多挑戰(zhàn),特別是模擬與數(shù)字的混合電
泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來(lái)襲,讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
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