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動態(tài)功率估算已達(dá)SoC設(shè)計限制
FinFET預(yù)計可減少多達(dá)90%的靜態(tài)泄漏電流，并且僅使用等效平面晶體管50%的動態(tài)功率。與平面等效晶體管相比，F(xiàn)inFET晶體管在同等功耗下運(yùn)行速度更快，或在同等性能下功耗更低。有了FinFET，設(shè)計團(tuán)隊可以更好地平衡產(chǎn)量、性能和功率，滿足各個應(yīng)用程序的需求。
FinFET預(yù)計可減少多達(dá)90%的靜態(tài)泄漏電流，并且僅使用等效平面晶體管50%的動態(tài)功率。與平面等效晶體管相比，F(xiàn)inFET晶體管在同等功耗下運(yùn)行速度更快，或在同等性能下功耗更低。有了FinFET，設(shè)計團(tuán)隊可以更好地平衡產(chǎn)量、性能和功率，滿足各個應(yīng)用程序的需求。
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