隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中,首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產(chǎn)。預計試產(chǎn)主要采用22nm工藝。這種次世代存儲將能夠為物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算電腦和智能汽車等四領域所提供效能更快和耗電更低的存儲效能。臺積電此舉讓嵌入式存儲器再度回到人們的視線中。本文將為你闡述嵌入式存儲器的前世今生。