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CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs
全球研究與咨詢公司Strategy Analytics日前發(fā)表了題為“功率放大器技術趨勢：2008-2013”的報告，指出開發(fā)用于手機的CMOS功率放大器的廠商越來越多。 該報告
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利用GaAs PHEMT設計MMIC LNA
在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關鍵?？刂葡到y(tǒng)內噪聲還有其他技術，包括過濾和低溫冷卻，但低噪聲放大器的良好性能，提供了一種被實踐所驗證的可
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設計一款超低噪聲的S頻段放大器
工程師們一般都把RF低噪聲放大器設計視為畏途。要在穩(wěn)定高增益情況下獲得低噪聲系數(shù)可能極具挑戰(zhàn)性，甚至使人畏懼。不過，采用最新的GaAs(砷化鎵)異質結FET，可以設計出有高
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基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關
0 引言PIN二極管廣泛應用于限幅器、開關、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管具有插入損耗低、截止頻率高、功率容量大的特點，特別適合于
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詳解基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關
PIN二極管廣泛應用于限幅器、開關、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管具有插入損耗低、截止頻率高、功率容量大的特點，特別適合于制作性能
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研究人員發(fā)現(xiàn)降低GaAs電路成本的新方法
MIT研究人員發(fā)現(xiàn)一種用于大規(guī)模生產(chǎn)昂貴電路的新型「復制/貼上」方法，在制造上覆石墨稀的「供體」晶圓后，采用「沉積-剝離」的方式，降低電路與下層晶圓的成本。
