作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),Soitec于約兩月前以3000萬歐元的價格收購了氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN。通過此次收購,Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品系列中增加了GaN技術(shù),也將借助GaN在5G中的優(yōu)勢,進(jìn)一步擴(kuò)大功率放大器市場。
隨著氮化鎵(GaN)技術(shù)的價值在商用微波和射頻(RF)市場中得到認(rèn)可,潛在的應(yīng)用比比皆是,最值得注意的可能是射頻能量領(lǐng)域,相關(guān)內(nèi)容最近在以前的博客文章中重點(diǎn)介紹過。
EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費(fèi)電子展(CES® 2018)展示eGaN®技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用。