作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),Soitec于約兩月前以3000萬(wàn)歐元的價(jià)格收購(gòu)了氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱(chēng)GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN。通過(guò)此次收購(gòu),Soitec在其不斷增長(zhǎng)的硅基和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品系列中增加了GaN技術(shù),也將借助GaN在5G中的優(yōu)勢(shì),進(jìn)一步擴(kuò)大功率放大器市場(chǎng)。
隨著氮化鎵(GaN)技術(shù)的價(jià)值在商用微波和射頻(RF)市場(chǎng)中得到認(rèn)可,潛在的應(yīng)用比比皆是,最值得注意的可能是射頻能量領(lǐng)域,相關(guān)內(nèi)容最近在以前的博客文章中重點(diǎn)介紹過(guò)。
EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES® 2018)展示eGaN®技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無(wú)線充電及自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(dá)應(yīng)用。