日前,三星宣布推出業(yè)界首款第三代HBM2E內(nèi)存,新的HBM2E內(nèi)存由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成,單個(gè)封裝可以達(dá)到16GB的總?cè)萘?,并且其擁有高達(dá)3.2Gbps的傳輸速率。 新型Flashbolt準(zhǔn)備提供前一代8GB HBM2“ Aquab
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