為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)優(yōu)勢(shì)的iCoupler技術(shù)

你了解為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)優(yōu)勢(shì)的iCoupler技術(shù)嗎?大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。