與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護措施的集成電路 (IC)。現(xiàn)代 IC 的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電 (ESD) 瞬變保護措施。人體模型 (HBM)、機器模型 (MM) 和充電器件模型 (CDM) 是用來測量器件承受 ESD 事件的能力的器件級標準。這些測試旨在確保器件能承受器件制造和 PCB 裝配流程中的靜電壓力,通常在受控環(huán)境中實施。
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