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意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDm

功率器件
2018-11-02

mdmesh MOSFET rds v 電源技術(shù)解析