據(jù)悉,第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器除了采用全新Toggle DDR 4.0傳輸界面提升速率之外,也進(jìn)一步強(qiáng)化性能和功耗,其工作電壓從1.8V降至1.2V,寫入速度也高達(dá)500us,比上一代V-NAND快閃存儲(chǔ)器提升了30%,而讀取速率的回應(yīng)時(shí)間也縮短到50us。
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