傳統(tǒng)“平面的”2-D平面柵極被超級(jí)纖薄的、從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替（如左圖）。電流控制是通過(guò)在鰭狀物三面的每一面安裝一個(gè)柵極而實(shí)現(xiàn)的（兩側(cè)和頂部各有一個(gè)柵極），而不是像2-D平面晶體管那樣，只在頂部有一個(gè)柵極。由于這些硅鰭片都是垂直的，晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。【更多….】 優(yōu)勢(shì)：這種設(shè)計(jì)使晶體管在“開”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過(guò)（高性能），而在“關(guān)”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零（即減少漏電，低能耗），同時(shí)還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更高性能。Intel稱，22nm 3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來(lái)最多37％的性能提升，在相同性能的情況下電量消耗將減少50%，而其造價(jià)僅提高2%~3%。 |
