自從1947年晶體管問世以來，晶體管技術飛速發(fā)展，為開發(fā)更強大、成本效益更好、能效更高的產(chǎn)品鋪平了道路。要想按照摩爾定律的步調(diào)不斷進步，就必須進行大量創(chuàng)新。近期值得關注的創(chuàng)新成果是應變硅（英特爾于2003年推出）和高-k金屬柵極（英特爾于2007年推出）?，F(xiàn)在，英特爾將為晶體管設計帶來另外一項革命——這將在各種計算設備（從服務器到臺式機，從筆記本電腦到手持式設備）中實現(xiàn)前所未有的高性能和能效。
    硅晶體管史上第一次進入3-D時代。英特爾推出了三柵極晶體管，其中晶體管通道增加到第三維度。電流是從通道的三面（頂部、左側(cè)和右側(cè)）來控制的，而不是像傳統(tǒng)平面晶體管一樣，只從頂部控制。最終的結果就是能夠更好地控制晶體管、最大程度利用晶體管開啟狀態(tài)時的電流（實現(xiàn)最佳性能），并且在關閉狀態(tài)時最大程度減少電流（降低漏電）。
   
    英特爾在新的半導體技術中引入了22納米創(chuàng)新，這將確保摩爾定律在可預見的未來仍將繼續(xù)生效。讓我們一起回顧晶體管的歷史和關鍵里程碑事件：
    1947年12月16日：William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain在貝爾實驗室成功開發(fā)出首個晶體管。
 1950年：William Shockley開發(fā)出雙極結型晶體管，就是現(xiàn)在通行的標準晶體管。
 1954年10月18日：首款晶體管收音機Regency TR1上市，這種收音機里面只包含四個鍺晶體管。
 1961年4月25日：羅伯特•諾伊斯獲得首個集成電路專利。最初的晶體管對于收音機和電話而言已經(jīng)足夠了，但是更新的電子設備要求規(guī)格更小的晶體管——集成電路。
 1965年：摩爾定律誕生——戈登•摩爾在《電子雜志》發(fā)表的文章中預測：未來芯片上晶體管的數(shù)量大約每年翻一倍（10年后，修正為每兩年翻一倍）。三年后，摩爾和諾伊斯創(chuàng)建了英特爾公司，英文名Intel即“集成電子（integrated electronics）”的縮寫。
 1969年：英特爾開發(fā)出首個成功的PMOS硅柵極晶體管技術。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅（SiO2）柵介質(zhì)，但是引入了新的多晶硅柵電極。
 1971年：英特爾推出首個微處理器——4004。4004的規(guī)格為1/8英寸×1/16英寸，包含2250個晶體管，采用英特爾10微米PMOS技術在2英寸晶圓上生產(chǎn)。
 1985年：英特爾386™微處理器問世，含有275,000個晶體管，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務處理能力，可同時運行多個程序。最初是使用1.5微米CMOS技術制造的。
 2002年8月13日：英特爾發(fā)布了90納米制程技術的若干技術突破，包括高性能、低功耗晶體管，應變硅，高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)工藝中采用應變硅。
 2007年9月：英特爾公布采用突破性的晶體管材料——高-k金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾®酷睿™2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強®系列多核處理器的數(shù)以億計的45納米晶體管中用來構建絕緣“墻”和開關“門”，研發(fā)代號為Penryn。
 2011年5月3日——英特爾宣布將批量生產(chǎn)一種全新的晶體管設計。三柵極晶體管將在各種計算設備中（從服務器到臺式機，從筆記本電腦到手持式設備）實現(xiàn)前所未有的高性能和能效。