存儲器可以說是任何一部電子設備都無法缺少的必要組成器件，一旦缺少存儲器，數(shù)據(jù)將無法保存。為增進大家對存儲器的認識，本文將對存儲器的工作原理以及非易失性存儲器的具體類型予以介紹。如果你對存儲器具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、存儲器及其工作原理

存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。

一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。

動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上，借助芯片內部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產(chǎn)生。

當要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。

當需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。

二、非易失性存儲器有哪些

通過上面的介紹，想必大家對存儲器的工作原理已經(jīng)具備了初步的認識。在這部分，我們主要來了解一下非易失性存儲器的類型。

非易失性存儲器種類比較多，分別是ROM、FLASH以及外部大容量存儲器。

1、ROM

ROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲器，又分為MASKROM(掩模ROM)、OTPROM(一次可編程ROM)、EPROM(電可擦寫ROM)和EEPROM(電可擦寫可編程ROM)。

MASKROM：真正意義上的只讀存儲器，一次性由廠家用特殊工藝固化，用戶無法修改。

OTPROM：由用戶用專門設備來一次性寫入數(shù)據(jù)，只能寫入一次。

EPROM：可重復擦寫，解決只能一次寫入的問題，但需要用專門的設備去操作，已被EEPROM取代。

EEPROM：可實現(xiàn)重復擦寫，直接用電路控制，不需要專門的設備來進行擦寫。且操作單位為字節(jié)，并不需要操作整個芯片。EEPROM現(xiàn)在已是主流。正點原子所有開發(fā)板都有使用到EEPROM，用來存儲一些配置信息。

2、FLASH

FLASH跟ROM相比，容量更大，但是操作的單位為多字節(jié)并不是一個字節(jié)。FLASH分為NORFLASH和NANDFLASH，這兩者在嵌入式開發(fā)中都是很常用的存儲器。

NORFLASH得益于地址線和數(shù)據(jù)線分開，可以以“字節(jié)”讀寫數(shù)據(jù)，所以允許程序直接在上面運行。在正點原子的北極星板子上，就是用NORFLASH存儲核心代碼。

NANDFLASH對比NORFLASH在成本上有很大的優(yōu)勢，但是存在壞塊問題(NAND通常是以塊為單位進行擦除，塊內有一位失效整個塊就會失效)。

3、外部大容量存儲器

外部大容量存儲器就有磁盤存儲器(硬盤和軟盤)、光盤存儲器和SD卡。

磁盤存儲器，容量大，使用壽命長但價格貴，主要是用在個人PC中，較少用在嵌入式開發(fā)中。

光盤存儲器：用光學方式讀取/寫入信息的圓盤，一般用于多媒體信息載體，較少出現(xiàn)在嵌入式領域中。

SD卡：體積小，安全性也高。簡單設計一下外圍電路即可支持嵌入式開發(fā)，是常見的外部存儲器。

以上便是此次小編帶來的存儲器相關內容，通過本文，希望大家對存儲器已經(jīng)具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關注我們網(wǎng)站哦，小編將于后期帶來更多精彩內容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!