【2025年9月28日，中國上海訊】在9月24日至26日舉辦的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會（以下簡稱PCIM Asia 2025）”上，全球功率半導體技術領導者英飛凌以“創(chuàng)新”加持，集中展示了面向綠色能源、電動化出行、AI算力電源等關鍵應用領域的創(chuàng)新產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案，全面覆蓋基于硅及寬禁帶半導體材料的高能效、高功率密度產(chǎn)品，凸顯了其在當下推動能源轉型與智能化發(fā)展方面的技術引領作用。

本次展會，英飛凌的創(chuàng)新展示圍繞“綠色能源”、 “電動化出行” “賦能AI” 和“硅及寬禁帶”四大板塊展開。通過覆蓋多應用場景的高性能產(chǎn)品組合與多款首次亮相的解決方案，英飛凌充分彰顯了其在提升系統(tǒng)能效、功率密度及可靠性方面的持續(xù)創(chuàng)新實力，鞏固了其在功率半導體技術演進中的領導地位。

2025上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會英飛凌展臺

新品速遞：三大關鍵技術持續(xù)演進

硅：CoolSET? SiP集成了 800 V P7 CoolMOS? 、ZVS 主控制器和次級 SR 控制器，并采用 CT Link 技術實現(xiàn)隔離通信，在小型 SMD 封裝內可實現(xiàn)高達 60 W 的功率輸送。ZVS 反激解決方案降低了 BOM和開關損耗，并提高了 EMI 性能，同時實現(xiàn)了高于 94% 的效率，特別適合對空間和能效要求極高的AI服務器輔助電源及高端家電應用。

碳化硅：推出CoolSiC? MOSFET 2025年度最新產(chǎn)品，包括CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合以及CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊。其中，1200V產(chǎn)品采用Q-DPAK TSC頂部散熱封裝，能提供更出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度；新一代CoolSiC? MOSFET G2 1400 V經(jīng)過優(yōu)化設計，適配1000V以上母線電壓，電流承載能力顯著提升，產(chǎn)品最低導通電阻可低至6mΩ，性能指標行業(yè)領先，適用于光儲等高功率場景。CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊運用到了多種先進封裝，從最新的Easy 2C到標準的Econo PACK，再到高壓2300V/3300V XHP，覆蓋從光儲到工業(yè)、及大功率風電多種應用領域。英飛凌還推出了CoolSiC? MOSFET G2 750V。它提供車規(guī)和工規(guī)兩個系列，其中Q-DPAK 頂部散熱封裝產(chǎn)品導通內阻低至4mΩ，達到行業(yè)領先水平，具有優(yōu)異的抗寄生導通能力，支持單級驅動，支持最高節(jié)溫200度過載運行，幫助客戶實現(xiàn)更高的功率密度和集成度。

氮化鎵：CoolGaN? 全系列產(chǎn)品電壓覆蓋從60V到800V，提供多種封裝選擇。CoolGaN? BDS 雙向開關利用同一漂移區(qū)實現(xiàn)雙向耐壓與電流控制，簡化了其拓撲結構；而高度集成的 CoolGaN? Drive 模塊，則融合了GaN晶體管、智能柵極驅動器與電流感應功能，為高頻、高效電源設計樹立了新典范。

綠色能源：創(chuàng)新驅動光儲系統(tǒng)、電動汽車充電與熱泵的高效升級

在綠色能源展區(qū)，英飛凌重點展示了光伏、儲能、電動汽車充電及熱泵領域的高能效解決方案。繼2024年發(fā)布的CoolSiC? MOSFET G2技術后，英飛凌陸續(xù)在更多細分產(chǎn)品領域深化應用。新一代CoolSiC? MOSFET G2 1200V/1400V產(chǎn)品具備優(yōu)異熱管理與功率密度，適用于電動汽車充電樁、光伏逆變器、不間斷電源等工業(yè)場景。

在電動汽車充電領域，英飛凌推出新款CoolSiC? MOSFET G2 Easy 2C系列1200V碳化硅模塊。該模塊使用創(chuàng)新的耐高溫材料，具備更高的工作虛擬結溫和更低損耗，采用全新PressFIT引腳，支持更高電流承載能力，有效降低PCB溫度，支持更長的系統(tǒng)壽命要求。

在熱泵領域，英飛凌展示了8kW 維也納 PFC 加雙電機控制板，它采用了英飛凌全套整體方案，包括MCU、功率器件、驅動芯片和電流傳感器等，具有集成度高的特點。從控制來講，由單顆PSOC? C3 MCU完成壓縮機、風機和高頻Vienna PFC的控制；功率部分，由單顆ECONO2封裝模塊完成了Vienna PFC和壓縮機驅動，風機驅動也是業(yè)界最小尺寸的1200V IPM，最終實現(xiàn)非常緊湊的整體設計。

英飛凌CoolSiC? MOSFET 2025年度最新產(chǎn)品

電動化出行：創(chuàng)新集成，重塑未來交通出行體驗

在交通出行展區(qū)，英飛凌重點展示了面向主驅、域控和底盤應用上的創(chuàng)新解決方案。

在主驅逆變器方面，英飛凌帶來了其嵌入式碳化硅方案，采用英飛凌新一代1200V G2p SiC嵌入印制電路板（PCB），可以有效降低系統(tǒng)雜散電感，支持SiC芯片快速地開關，提高系統(tǒng)效率，降低成本。此外，英飛凌推出了新一代塑封半橋模塊SSC，覆蓋750V和1200V電壓等級，電流覆蓋350Arms - 750Arms，模塊雜散電感<5nH，模塊內部集成Gen3 SiC芯片，并可以兼容GaN芯片。IGBT 半橋塑封模塊LFM采用了750V EDT3 IGBT芯片，芯片上集成溫度傳感器，可精確反饋芯片結溫。HybridPACK? HD 模塊是英飛凌針對商用車新推出的半橋模塊，內部采用1400V SiC芯片，最大輸出電流可達1000Arms以上。

在域控和底盤應用領域，英飛凌展出了兩款重點產(chǎn)品48V 線控轉向系統(tǒng)電子控制器及48V STC 軟開關技術電源，向客戶全面展示其完整的全系車用48V半導體解決方案，覆蓋配電及驅動2個領域，涵蓋電源、主芯片MCU、CAN通訊收發(fā)器、48V預驅、48V MOSFET，以及部分48V傳感器。除芯片級產(chǎn)品解決方案之外，英飛凌還可提供整車級及零部件級整體48V系統(tǒng)架構參考解決方案。

英飛凌新一代嵌入式碳化硅解決方案

賦能AI：創(chuàng)新電源管理，支撐可持續(xù)的算力未來

為應對AI應用激增帶來的能源挑戰(zhàn)，英飛凌推出覆蓋數(shù)字化轉型全價值鏈、從電網(wǎng)到AI芯片核心的高能效電源解決方案，提供包括電源供應單元（PSU）、電池備份單元（BBU）、中間母線轉換器（IBC）及負載點（POL）模塊等系統(tǒng)級供電產(chǎn)品。

其中展示的8kW PSU評估板選用了英飛凌最新的硅、碳化硅和氮化鎵功率器件，實現(xiàn)了高頻、高效、高功率密度的8kW電源轉換。而4kW BBU評估板創(chuàng)新地采用部分功率轉換架構，僅對部分負載功率進行升壓或降壓處理，再與電池串聯(lián)供電，這大幅降低了BOM成本與板面積占用，提升了系統(tǒng)備份時長，進一步優(yōu)化了轉換效率。1.5kW固定比例IBC模塊基于英飛凌專利HSC拓撲，將48V輸入按8:1固定比例轉換為6V輸出，轉換效率極高。此外，針對AI板卡熱插拔需求，英飛凌推出XDP710數(shù)字熱插拔控制器，支持客戶編程設定開關管的安全工作區(qū)（SOA）曲線，有效抑制插拔瞬態(tài)電流，提升系統(tǒng)可靠性。可現(xiàn)場通過評估板與GUI軟件聯(lián)動演示其靈活配置能力。

展會期間，英飛凌參與了由PCIM Asia主辦的六場論壇演講，與行業(yè)專家和領袖就碳化硅、氮化鎵、最新功率器件創(chuàng)新設計、電驅動系統(tǒng)創(chuàng)新、AI服務器電源解決方案以及固態(tài)開關等熱門話題進行了深入交流，并結合不同行業(yè)的挑戰(zhàn)與機遇，分享了前沿的創(chuàng)新成果與實踐經(jīng)驗。這不僅展現(xiàn)了英飛凌在技術研發(fā)中的深厚積淀與創(chuàng)新潛力，更凸顯了其以技術推動低碳化與數(shù)字化發(fā)展的使命擔當，為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展注入了新動力。

本次展會充分展現(xiàn)了英飛凌在半導體技術領域的卓越創(chuàng)新能力及領先優(yōu)勢，彰顯了其對推動技術創(chuàng)新的持續(xù)投入。與此同時，英飛凌以技術賦能低碳化與數(shù)字化發(fā)展，以實際行動踐行產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的承諾。未來，英飛凌將攜手行業(yè)伙伴，探索更高效、更智能的半導體解決方案，為綠色低碳轉型注入新動能，共同創(chuàng)造可持續(xù)發(fā)展的美好未來。