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[導(dǎo)讀]AI的計(jì)算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲(chǔ)已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問(wèn)題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實(shí)現(xiàn)更高的收益,如何讓存儲(chǔ)方案給計(jì)算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持,加速數(shù)據(jù)交換,節(jié)省電力和散熱成本都值得探討,其中就包括閃存技術(shù)如何扮演起關(guān)鍵角色。

AI的計(jì)算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲(chǔ)已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問(wèn)題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實(shí)現(xiàn)更高的收益,如何讓存儲(chǔ)方案給計(jì)算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持,加速數(shù)據(jù)交換,節(jié)省電力和散熱成本都值得探討,其中就包括閃存技術(shù)如何扮演起關(guān)鍵角色。

閃存技術(shù)最初被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中,旨在縮小存儲(chǔ)方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術(shù)的不斷升級(jí),這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)從成為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品存儲(chǔ)主力,并緊接著在網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)中提供高速的數(shù)據(jù)存取支持。

如今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)正在邁向AI時(shí)代,通過(guò)大量創(chuàng)新型的存儲(chǔ)方案創(chuàng)造更多可能性。例如,為了使用GPU處理這些數(shù)據(jù)并進(jìn)行AI訓(xùn)練和推理,高性能、大容量、低功耗的閃存設(shè)備必不可少。例如鎧俠第八代BiCS Flash已經(jīng)在企業(yè)級(jí)產(chǎn)品中被廣泛使用,其TLC產(chǎn)品表現(xiàn)在業(yè)內(nèi)受到好評(píng),已經(jīng)出現(xiàn)在諸多消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD中,同時(shí)也運(yùn)用在鎧俠數(shù)據(jù)中心級(jí)CD9P系列和企業(yè)級(jí)CM9系列中。

第八代BiCS Flash的QLC產(chǎn)品在近期憑借著鎧俠LC9系列的245.76TB NVMe SSD成功出圈,已經(jīng)開(kāi)始幫助部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)PB級(jí)數(shù)據(jù)管理,加速基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化,以支持生成式AI和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。

這是一項(xiàng)艱巨的工程。在狹小的空間內(nèi)構(gòu)建一塊245.76TB的SSD,需要應(yīng)用到2Tb的第八代BiCS Flash QLC,在單個(gè)存儲(chǔ)芯片封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)32層堆疊,并進(jìn)而構(gòu)建出245.76TB的容量。與此同時(shí),第八代BiCS Flash QLC還與創(chuàng)新型的CBA技術(shù)結(jié)合,以獲得更高的傳輸速率,足以確保LC9系列滿足AI基礎(chǔ)設(shè)施的需求。

與此同時(shí),第八代BiCS Flash的TLC和QLC也已經(jīng)在UFS 4.0、UFS 4.1產(chǎn)品中展開(kāi)應(yīng)用。其中,UFS 4.1是JEDEC于今年初發(fā)布的最新一代移動(dòng)存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),它在UFS 4.0的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化性能、能效和可靠性,在速度上接近NVMe SSD,通過(guò)多項(xiàng)新機(jī)制提升了系統(tǒng)響應(yīng)速度、數(shù)據(jù)安全性和能效表現(xiàn),是2025年旗艦級(jí)移動(dòng)設(shè)備、車規(guī)級(jí)系統(tǒng)的理想選擇之一。

在不久的將來(lái),鎧俠還將推出第九代BiCS Flash和第十代BiCS Flash產(chǎn)品,兩代產(chǎn)品繼續(xù)使用突破性的CBA技術(shù)。

其中,第十代BiCS Flash使用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA協(xié)議,并將NAND接口速度提升至4.8Gb/s,輸入和輸出功耗進(jìn)一步降低,從而獲得更好的效能表現(xiàn)。同時(shí),第十代BiCS Flash還將存儲(chǔ)層數(shù)增至332層,并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度,使位密度進(jìn)一步提升。

從UFS到SSD產(chǎn)品,鎧俠BiCS Flash已經(jīng)在廣闊領(lǐng)域中證明了高效、可靠以及經(jīng)濟(jì)性。鎧俠將堅(jiān)持圍繞更高的性能、更大的容量、更低的能耗、優(yōu)化的成本四個(gè)維度打造創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案,給未來(lái)存儲(chǔ)提供更多的可能性。

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