凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一對 16 位增量累加 ADC LTC2460 和 LTC2462,這兩款器件都在纖巧 3mm x 3mm DFN 封裝中集成了一個精確基準。該集成的基準 (典型值為 2ppm/ºC,最大值為 10p
全球500強企業(yè)霍尼韋爾傳感與控制部,在中國南京江寧科學(xué)園區(qū)建立了其在中國的首家全球研發(fā)中心與制造基地,并于5月6日在該園區(qū)舉行了隆重的啟用儀式。該項目的正式啟用有助于進一步增強其在中國的研發(fā)與生產(chǎn)能力。作
意法半導(dǎo)體(ST)推出全新系列功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品的擊穿電壓更高,抗涌流能力更強,電能損耗更低,特別適用于設(shè)計液晶顯示器、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950
隨著數(shù)字技術(shù)和相關(guān)專業(yè)的不斷發(fā)展,繼電保護技術(shù)也有了很大發(fā)展,如靜態(tài)繼電器在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用,其中數(shù)字式時間繼電器作為基礎(chǔ)元件,已廣泛應(yīng)用于各種繼電保護及自動控制回路中,使被控制設(shè)備或電路的動作獲
摘要:本文講述了無功補償?shù)幕靖拍?,介紹了各種無功補償裝置的原理和應(yīng)用。 關(guān)鍵詞:無功功率;補償;裝置;應(yīng)用 (上接總第121期P.43) 對于TCR的三相電路來說,一般采用三角形(△)連接方式,如圖10所示。△
全球最大晶片龍頭英特爾(Intel)今年初開始關(guān)閉不具經(jīng)濟效益的封測廠,業(yè)界傳出,英特爾評估將全面釋出南橋芯片(south bridge)的封裝代工訂單,并由全球最大封測廠日月光囊括絕大部分訂單,對日月光本季及下半年營運將
今年第一季度,美國存儲器制造商Micron Technology重返全球DRAM市場份額三甲行列。 iSuppli存儲IC首席分析師Nam Hyung Kim指出,第一季度Micron超過日本Elpida重獲DRAM市場第三名的位置。 第一季度DRAM銷售額為4.8
摘要 主要介紹多功能發(fā)動機轉(zhuǎn)速模擬器的結(jié)構(gòu)原理、硬件電路設(shè)計及軟件設(shè)計。硬件設(shè)計主要以AT89C2051單片機為核心部件,通過頻率信號產(chǎn)生電路、頻率信號調(diào)理電路、看門狗復(fù)位電路、電流產(chǎn)生電路、電流測量電路、齒數(shù)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出符合汽車應(yīng)用標準的 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器,這款采用小型單片封裝的器件將眾多領(lǐng)先特性完美結(jié)合,支持60 V高電壓、2.2 MHz開關(guān)頻率以及65 µA超低靜態(tài)電流。作為符合汽車應(yīng)用標準的 DC
模擬開關(guān)應(yīng)用一直在從單純的音頻開關(guān)功能向更先進的產(chǎn)品發(fā)展,這些先進產(chǎn)品可以同時提供增值設(shè)計特性和強大的I/O到地的ESD能力。隨著諸如MP3/MP4播放器和GPS/WiFi功能等多媒體特性在最終應(yīng)用中的普及,設(shè)計人員需要應(yīng)用性更加特殊的開關(guān),這樣不僅可以提供低失真的開關(guān)通道,同時能夠解決標準一致性測試所面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)。
金融危機給行業(yè)帶來的巨大影響 觀察整體網(wǎng)通產(chǎn)業(yè),由于受景氣不佳波及,全球通訊設(shè)備市場規(guī)模成長率將不如以往,但預(yù)期在WLAN802.11n價格下跌之下,將持續(xù)帶動通訊設(shè)備換機潮,另外,WiMax處于發(fā)展初期,基期低,成
今年來首次出現(xiàn)市場改善跡象,iSuppli公司指出,全球半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率預(yù)計第二季度將升至60%,而第一季度為49%。此次增長是自2008年第二季度以來的首次增長,iSuppli半導(dǎo)體制造首席分析師Len Jelinek稱:“這標志著半
據(jù)臺灣媒體報道,臺積電近日公告,4月合并營收達224.5億元新臺幣(下同),較3月份曾長58.1%,表現(xiàn)符合市場預(yù)期,也是08年11月以來,合并營收首次站回200億元關(guān)卡之上。臺積電累計今年1至4月合并營收達619.5億元,較去
DRAM價格走揚,讓DRAM產(chǎn)業(yè)景氣似乎有回溫跡象,不過,臺灣“經(jīng)濟部長”尹啟銘認為,臺灣當局還是會繼續(xù)推動TMC的成立。他說,TMC沒有產(chǎn)能,著重的是技術(shù)研發(fā),這是目前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)比較欠缺的部分,至于要投入多少資
設(shè)計一種低溫漂低功耗的帶隙基準結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)帶隙基準核心電路結(jié)構(gòu)上增加一對PNP管,兩個雙極型晶體管疊加的結(jié)構(gòu)減小了運放的失調(diào)電壓對輸出電壓的影響,降低了基準電壓的溫度失調(diào)系數(shù)。電路設(shè)計與仿真基于CSMC0.5μm CMOS工藝,經(jīng)流片,測得室溫下帶隙基準輸出電壓為1.326 65 V,在-40~+85℃范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為2.563 ppm/℃;在3.3 V電源電壓下,整個電路的功耗僅為2.81μw;在2~4 V之間的電源調(diào)整率為206.95 ppm。