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頻率變換電路簡(jiǎn)介
頻率變換電路也稱之為頻率變頻器(Converter)，為高頻率電路獨(dú)特的電路方式。如大家所詳知的超外差(Superheterodyne)方式，便為頻率變換的一種方式。 頻率變換電路可以將HF~VHF~UHF等的寬頻帶頻率信號(hào)變換為任意的頻
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晶體變換器簡(jiǎn)介及其設(shè)計(jì)
對(duì)于頻率變換器的基本頻率(局部振蕩頻率)使用晶體振蕩電路，則稱之為晶體變換器。此一晶體變換器加在接收機(jī)的前級(jí)，便可以接收與原來(lái)接收機(jī)不同頻率的信號(hào)。在此，所接收的頻率選擇為Air Band的118M~136MHz中的一部分
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起/止相位穩(wěn)定的短脈沖串波形發(fā)生電路
電路的功能作為函數(shù)發(fā)生器的振蕩器，很容易產(chǎn)生短脈沖串波。本電路不僅有普通的CR振蕩器和脈沖發(fā)生器，還有可產(chǎn)生短脈沖器的附加器電路。短脈沖波大多作為測(cè)量音響設(shè)備傳輸狀態(tài)或電子儀器動(dòng)態(tài)特性的信號(hào)源使用。電路
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SAR ADC驅(qū)動(dòng)運(yùn)算放大器的選擇
運(yùn)算放大器輸出級(jí)極限 運(yùn)算放大器的軌至軌運(yùn)行是指其輸入級(jí)或輸出級(jí)，或者是指其輸入級(jí)與輸出級(jí)。作為驅(qū)動(dòng) SAR ADC輸入端的一個(gè)緩沖器，我們更關(guān)注運(yùn)算放大器軌至軌的輸出能力。一般說(shuō)來(lái)，該輸出能力表明了
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有關(guān)運(yùn)算放大器電動(dòng)勢(shì)的那些事兒
問(wèn)：可以用+10V單電源為運(yùn)算放大器供電嗎？還是必須使用±5V電源？答：這個(gè)問(wèn)題介于非常見(jiàn)問(wèn)題(RAQ)和常見(jiàn)問(wèn)題(FAQ)之間，值得探討。對(duì)，您可以使用+10V電源，不是必須得使用雙極性±5V電源，除非您想這
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堵住電流泄漏：摩爾定律在晶體管發(fā)展中繼續(xù)有效
受到物理限制，電子工程師必須構(gòu)想出更加精巧的晶體管1965年，戈登•摩爾預(yù)言，在一定大小的芯片上所能容納的晶體管的數(shù)量每?jī)赡昃蜁?huì)增加一倍，這就是所謂的摩爾定律。多年來(lái)這個(gè)定律一直在發(fā)揮作用。第一個(gè)集成
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英特爾深入探討3D晶體管、Ultrabook關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)
英特爾初步揭示了22nm工藝技術(shù)，它采用了眾所期盼的3D晶體管設(shè)計(jì)──稱之為三柵極──自2002年起英特爾便一直就該技術(shù)進(jìn)行開(kāi)發(fā)。而在本周的IDF中，英特爾預(yù)計(jì)將公布更多有關(guān)首款22nm芯片的細(xì)節(jié)，該芯片預(yù)計(jì)今年底可進(jìn)
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詳解硅頻率控制器（SFC）可以替代晶體的原因
晶體的主要組成部分是二氧化硅，俗稱石英。石英具有非凡的機(jī)械和壓電特性，使得從19世紀(jì)40年代中期以來(lái)一直作為基本的時(shí)鐘器件。如今，只要需要時(shí)鐘的地方，工程師首先想到的就是晶體，但是隨著應(yīng)用的不斷深入，晶體
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現(xiàn)代DAC和DAC緩沖器有助于提升系統(tǒng)性能、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
在許多控制系統(tǒng)的核心部分,數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)在系統(tǒng)的性能和精度方面起著關(guān)鍵作用.本文將考察一款新型精密16位DAC,同時(shí)針對(duì)性能可與變壓器媲美的高速互補(bǔ)電流輸出DAC的輸出緩沖談一些想法. 電壓開(kāi)關(guān)式16位DAC提供低噪聲
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TiWi－SL：2.4GHz WLAN解決方案
LS Research公司的TiWi-SL是高性能2.4GHz 802.11b/g WLAN模塊，包括了必需的PHY，MAC和支持WLAN應(yīng)用的網(wǎng)絡(luò)層。模塊和IEEE 802.11b/g兼容,WLAN發(fā)送功率+19.0dBm或+15dBm，WLAN靈敏度為-85dBm或-70dBm，工作電壓2.9V~3
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IC檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
（一）常用的檢測(cè)方法集成電路常用的檢測(cè)方法有在線測(cè)量法、非在線測(cè)量法和代換法。1．非在線測(cè)量非在線測(cè)量潮在集成電路未焊入電路時(shí)，通過(guò)測(cè)量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號(hào)集成電路各引腳之間的直流電
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多維設(shè)計(jì)技術(shù)力促3D芯片
您可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)這樣的宣傳：隨著目前還是平面結(jié)構(gòu)的裸片向多層結(jié)構(gòu)的過(guò)渡，半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)在今后幾年內(nèi)將發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。為了使這種多層結(jié)構(gòu)具有可制造性，全球主要半導(dǎo)體組織作出了近10年的不懈努力，從明年開(kāi)始三維（
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利用PCB散熱的要領(lǐng)與IC封裝策略
引言半導(dǎo)體制造公司很難控制使用其器件的系統(tǒng)。但是，安裝IC的系統(tǒng)對(duì)于整體器件性能而言至關(guān)重要。對(duì)于定制IC器件來(lái)說(shuō)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員通常會(huì)與制造廠商一起密切合作，以確保系統(tǒng)滿足高功耗器件的眾多散熱要求。這種早
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一種單節(jié)鋰電池保護(hù)IC設(shè)計(jì)
1引言設(shè)計(jì)了一種低功耗的單節(jié)鋰離子電池保護(hù)電路，此保護(hù)電路不僅對(duì)鋰離子電池提供過(guò)充電，過(guò)放電，放電過(guò)流保護(hù)，還提供充電異常保護(hù)，零伏電池充電禁止等功能。用1.0μm雙阱CMOS工藝實(shí)現(xiàn)。2鋰電池保護(hù)IC的功能原
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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- ADI邀你共學(xué)電子尖端黑科技系列活動(dòng)（三）
- 有獎(jiǎng)活動(dòng)：貿(mào)澤電子硬件狂想設(shè)計(jì)大賽
- 學(xué)5G存儲(chǔ)知識(shí)，贏京東卡等精品好禮
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- 答題贏好禮：Power Integrations助力工業(yè)發(fā)展
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