8月18日,據(jù)相關(guān)爆料,臺積電3nm(N3)制程將預(yù)計于第三季增加投片量,于第四季度進入量產(chǎn)階段,臺積電3nm采用了鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu),N3制程采用TSMC FINFLEX 技術(shù),將3nm家族技術(shù)的PPA進一步提升。
在消費電子行業(yè)處在低迷期的當下,汽車電動化和智能化發(fā)展趨勢正成為芯片應(yīng)用的核心驅(qū)動力之一,成為其長期成長的動力來源。汽車電動化+智能化帶動整體產(chǎn)業(yè)價值鏈構(gòu)成的升級,汽車芯片含量+重要性成倍提升,將迎來價值向成長的重估機會。
據(jù)《科創(chuàng)板日報》消息,比亞迪集團董事長兼總裁王傳福表示,電動車對半導體的需求較傳統(tǒng)車增加5-10倍。汽車電動化帶來百年未有的大變革,產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈體系發(fā)生重構(gòu)。
據(jù)相關(guān)爆料,即將在9月中旬發(fā)布的iPhone14系列或?qū)o緣采用臺積電3nm制程工藝,全新的A16處理器將依然采用現(xiàn)有的4nm制程工藝。
德國科學家在最新一期《自然》雜志上發(fā)表論文稱,他們首次成功使用DNA折疊法制造出了一款分子馬達。這種由遺傳物質(zhì)制成的新型納米馬達可以自我組裝并將電能轉(zhuǎn)換為動能,可以開關(guān),還能通過施加電場控制其轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)方向,未來有望用于驅(qū)動化學反應(yīng)。
近日,高通宣布了下一次Snapdragon峰會的日期,2022年驍龍峰會將在11月15日至17日舉行,為期三天,而不是此前慣例的12月份。據(jù)之前的爆料,驍龍8 Gen2將由臺積電代工,采用4nm制程工藝打造,CPU將由超大核,大核以及高能效核組成,而超大核可能是ARM Cortex X系列。
21日報道,因芯片持續(xù)短缺、加上上海封城導致物流停擺的影響持續(xù),也讓本田日本工廠將在8月上旬持續(xù)進行減產(chǎn),和5月時制定的計劃相比、減產(chǎn)規(guī)模最大為3成。
Intel將在下半年發(fā)布Raptor Lake 13代酷睿,就是12代酷睿的迭代版,繼續(xù)使用Intel 7工藝,繼續(xù)大小核架構(gòu),其中大核架構(gòu)從Golden Cove升級為Raptor Lake,繼續(xù)最多8個,小核架構(gòu)繼續(xù)Gracemont,最多翻番到16個,核顯架構(gòu)繼續(xù)Xe LP,接口也繼續(xù)LGA1700。
2022年的世界動力電池大會,在四川宜賓市召開。這是全球第一個世界級的動力電池行業(yè)大會,大咖云集。7月22日,寧德時代首席科學家吳凱在世界動力電池大會上表示,公司M3P電池已經(jīng)量產(chǎn),2023年會推向市場。
歐洲議會和歐盟理事會代表達成一致,同意到2024年,統(tǒng)一歐盟區(qū)域內(nèi)所有便攜式電子設(shè)備充電接口。除了統(tǒng)一充電接口,歐洲議會的此份公報還指出,對支持快速充電的設(shè)備充電速度也要統(tǒng)一,讓用戶可使用任何兼容的充電器以相同的速度為設(shè)備充電。而在我國,手機快充技術(shù)標準化也在不斷推進。
近日,@航空工業(yè) 直升機所研制的AR-500BJ艦載無人直升機平臺順利完成了船載試飛試驗。在此次試驗中,AR-500BJ順利完成了艦面起降等飛行課目,標志著該型無人直升機研制取得了新的重要突破。
日前,華為招聘官方微信發(fā)布“天才少年”招聘計劃,這是華為今年第二次面向全球發(fā)出“天才少年”召集令。華為內(nèi)部人士向記者透露,為了吸納更為優(yōu)秀的人才,華為在薪酬、福利等方面逐年提升條件,并強調(diào)人才的自由度。
7月20日消息,英特爾銳炫Arc獨立顯卡的當前驅(qū)動程序針對新游戲進行了優(yōu)化,此外還有一個好消息,英特爾獨顯暫不支持挖礦。
截至目前,汽車芯片仍處于緊缺狀態(tài),而且,短缺物料已從常規(guī)車用芯片延伸至IGBT等電動車增量芯片;而就在產(chǎn)業(yè)鏈加大力度解決汽車芯片短缺問題時,已有部分企業(yè)在規(guī)劃更先進制程工藝的車規(guī)級芯片,如芯擎科技、恩智浦、高通、英偉達等,陸續(xù)發(fā)布7nm、5nm制程芯片。那么,車用芯片向先進制程工藝發(fā)展是否已經(jīng)成為主流?
如果說臺積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導體業(yè)界首個代工的模式,那么,持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā),則是維持臺積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計2022年量產(chǎn)的3納米,臺積電平均2年開發(fā)一代新制程,這是臺積電邏輯制程激蕩的35年。