摘要：利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0．6M～10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明．該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
關鍵詞：MOS場效應管AB類功率放大推挽傳輸線變壓器寬頻帶   

    大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關鍵的技術。隨著現(xiàn)代無線通訊技術的發(fā)展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態(tài)線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。

    通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規(guī)功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配，另外偏置電路比較簡單，設計的放大電路增益高，線性好。

    本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場效應管(MOSFET)來設計的，采取AB類推挽式功率放大方式，其工作頻段為O 6M～10MHz，輸出的脈沖功率為1200W。經(jīng)調(diào)試使用，放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。調(diào)試、試驗和實用時使用的測試儀器有示渡器、頻譜分析儀、功率汁、大功率同軸衰減器、網(wǎng)絡分析儀和射頻信號發(fā)生器。

1 脈沖功率放大器設計

1．1 電路設計

    設計的寬頻帶大功率脈沖放大器模塊要求工作頻段大于4個倍頻程，而且輸出功率大，對諧波和雜波有較高的抑制能力；另外由于諧波是在工作頻帶內(nèi)，因此要求放大器模塊具有很高的線性度。

    針對設計要求，設計中射頻功率放大器放大鏈采用三級場效應管，全部選用MOSFET。每級放大均采用AB類功率放大模式，且均選用推挽式，以保證功率放大器模塊可以寬帶工作?？紤]到供電電源通常使用正電壓比較方便，因此選用增強型MOS場效應管。另外為了展寬頻帶和輸出大功率，采用傳輸線寬帶匹配技術和反饋電路，以達到設計要求。


    發(fā)射通道的建立都是在信號源產(chǎn)生射頻信號后經(jīng)過幾級的中間級放大才把信號輸入到功率放大級，最后通過天線把射頻信號發(fā)射出去。

    圖1中，輸入信號為20～21dBm，50Ω輸入；工作電壓為15V和一48V，其中15V為第一、二級功放提供工作電壓，48V為最后一級功放提供工作電壓；6V穩(wěn)壓輸出可以使用15V或48V進行穩(wěn)壓變換，電路整體設計采用AB類功率放大，設計的駐波比為1．9。經(jīng)過中間級放大后的信號，首先通過Tl(4：1)阻抗變換后進人功率放大器。在信號的上半周期Q1導通，信號的下半周期Q2導通；然后輪流通過T2(16：1)阻抗變換進入第二級放大，同樣信號的上半周期Q3導通，下半周期Q4導通，完成整個信號全周期的能量放大；進入最后一級放大時使用T3(4：1)阻抗變換，以繼續(xù)增加工作電流驅(qū)動大功率MOSFETMRFl57。為保證50Ω輸出，輸出端的阻抗變換為T4(1：9)。

    電路中使用負反饋電路的目的是在整個帶寬頻率響應內(nèi)產(chǎn)生一個相對平穩(wěn)的功率增益，保持增益的線性度，同時引進負反饋電路，有利于改善輸入回損和低頻端信號功率放大的穩(wěn)定性。

    另外每一級電路設計中，都使用了滑動變阻器來設置每個管子的偏置電壓，這樣做大大降低了交越失真的發(fā)生，盡可能使放大信號在上、下半周期的波形不失真。

1．2 電路板(PCB)和傳輸線變壓器設計

    為保證整個頻帶內(nèi)信號放大的一致性，降低雜波和諧波的影響，寬頻帶高功率射頻放大器采用了AB類功率放大，以保證電路的對稱性。在設計PCB時，盡量保證銅膜走線的形式對稱，長度相同。為便于PcB板介電常數(shù)的選取，整個PCB板為鉛錫光板。在信號輸入和輸出端使用了Smith圓圖軟件計算和仿真銅膜走線的形狀、尺寸，以確保阻抗特性良好匹配。

     圖2中深色區(qū)域代表覆銅區(qū)域。銅箔管首先穿過磁環(huán)后再穿過兩端的銅膜板并焊接在一起，完成次級線圈。T2的設計基本與Tl相似，只是使用同軸線SFF-1．5-l的芯線纏繞的初級線圈圈數(shù)不同而已。

    73次級線圈的制作有些變化，目的是加強低頻信號的通過程度。不使用銅箔管，而使用銅箔彎曲成弧形。如圖3所示。


    在每個磁環(huán)孔中穿過兩個銅箔片，分別與兩端的銅膜板焊接，這樣整個線圈的次級線圈就是兩圈，然后根據(jù)阻抗比完成初級線圈的纏繞。這樣做的目的是在固定的阻抗比的情況下增加初、次級的圈數(shù)以改善放大器的低頻特性。

1．3 散熱設計

    凡是射頻功率放大，其輸出功率很大，管子的功耗也大，發(fā)熱量非常高，因此必須對管子散熱。根據(jù)每一級管子的功耗PD以及管子的熱特性指標，這些熱指標包括器件管芯傳到器件外殼的熱阻ROJC，器件允許的結(jié)溫為T1、工作環(huán)境溫度為TA等，可以計算出需要使用的散熱材料的尺寸大小和種類。本設計中，器件的工作環(huán)境溫度為55℃，使用的鋁質(zhì)散熱片尺寸為290mm×110mm×35mm，而且需要使用直流風機對最后一級MOSFET進行散熱處理。

2 脈沖功率放大器的組裝和調(diào)試

    設計中使用的放大管全是MOSFET，由于其抗靜電性能非常差，稍不留神就會因為焊接設備上的靜電把管子燒壞，尤其是最后一級的大功率MOSFET(MRFl57)，因此管子安裝時要特別小心。設計電路前，可以使用Multisim軟件或Pspice軟件中的器件模型來熟悉IRFSIO和IRF530的使用。

    電路開始調(diào)試時，可以先不對最后一級的MOSFETMRFl57進行偏置電壓設置。先通過測試前兩級的放大效果來設定MRF157的靜態(tài)工作點，測試得到的前兩級信號放大結(jié)果為100V Vp-p(高阻輸入)左右。調(diào)試時每個管子的工作點電壓不要太高，略高于開啟電壓VC(TH)即可。在電源端一定要監(jiān)視工作電流，防止電流過大。通過微調(diào)每個管子柵極端的變壓器調(diào)整靜態(tài)工作點，以求盡量減少波形失真。此時可以使用示波器監(jiān)控波形輸出。根據(jù)對前兩級電路調(diào)試的實際結(jié)果來看，第一級主要對放大后的幅度有影響，而第二級則影響了放大后的波形。

    調(diào)試最后一級功率放大時，由于MRFl57太過昂貴，一定要非常謹慎。每次調(diào)試時，盡可能先設置好每個管子的靜態(tài)工作電壓，不要動態(tài)改變靜態(tài)工作點。終端接入5011大功率同軸衰減器后輸入到頻譜分析儀中。通過頻譜分析儀的頻域波形可以得到輸出功率，以及諧波分量。

    本文所設計的寬頻帶大功率放大器在實驗室環(huán)境下完成了組裝和測試，并長時間與發(fā)射線圈進行了聯(lián)試。試驗及實用表明，該放大器運行正常，工作可靠，能夠完成寬頻帶射頻脈沖的大功率放大，滿足了設計要求，對在該頻段下工作的某探測設備起了很大作用，效果良好。