0 引 言
    隨著電子技術(shù)的發(fā)展，對現(xiàn)代有源相控陣雷達的要求越來越高，而T／R組件是構(gòu)成有源相控陣雷達的核心部件之一，因此對T／R組件的各個性能提出了更高的要求。同時微電子技術(shù)和MMIC電路的發(fā)展為T／R組件的設(shè)計提供了良好的基礎(chǔ)，當前組件技術(shù)的發(fā)展趨勢是在利用HTCC，LTCC等多層微帶基板的基礎(chǔ)上，集成了一片或數(shù)片多功能MMIC電路，再經(jīng)過微電子互連而成。而這種組件具有體積小、重量輕、性能指標高、一致性好的特點。
    在數(shù)量相同的一組T／R組件中合成發(fā)射功率越大，其雷達照射的范圍則越大，所以研究高功率T／R組件顯得非常重要。而在T／R組件設(shè)計時，最關(guān)鍵的是功率放大模塊。該組件運用了混合集成電路(HMIC)和多芯片組裝(MCM)相結(jié)合的技術(shù)，根據(jù)現(xiàn)有的制造工藝，設(shè)計出一種平衡放大器作為發(fā)射通道的末級功放部分，該放大器是兩只功放裸芯片和一個Wilkinson功分器組成的，最終提高了功率的輸出。

1 T／R組件的原理與組成
    T／R組件原理框圖如圖1所示，在發(fā)射通道，由激勵信號源送來的信號送入組件發(fā)射通道經(jīng)過功率放大器使信號放大后饋至天線輻射單元；在接收通道，從天線收到的微弱信號經(jīng)接收通道傳到接收機。

    組件接收通道包括限幅器、低噪聲放大器和數(shù)字衰減器。在組件發(fā)射期間，若天線有很大的功率反射，此時限幅器能起到保護低噪聲放大器的作用。組件發(fā)射通道則是兩級功放鏈路組成，前兩級采用芯片，而末級高功率放大器為下文重點設(shè)計介紹的?？刂齐娐凡糠钟蓴?shù)字移相器、數(shù)字可變衰減器、數(shù)字開關(guān)和驅(qū)動控制芯片組成。為了設(shè)計的需要運用了正反向的環(huán)形器，一個當作隔離器用，另外一個作環(huán)形器用。對于電源部分，因為組件發(fā)射功率器件為GaAs器件，其必須要先加負壓(Vgs)，后加正壓(Vds，加負壓保護電路就行。

2 設(shè)計思路與設(shè)計過程
    設(shè)計T／R組件時，考慮最關(guān)鍵的就是末級功放部分，因此本文將對末級功放部分展開詳細探討。

2．1 設(shè)計思路
    設(shè)計一個Wilkinson功分器，采用兩個10 W功率放大器裸芯片進行合成，組成一個平衡放大器。Wil-kinson功分器采用了二等分功分器，原理框圖如圖2所示。因為信號在輸入功分器的輸出端是同相位的，所以，注入放大器A之前的信號和放大器B之后的信號需要相移，將其中的一臂增加了λ／4的線長，這樣可以利用如下公式：

    如果兩個放大器完全相同，那么，S11=0，且S22=0，而且增益S21(S12也如此)等于耦合器的單邊增益。2．2 Wilkinson功分器的設(shè)計與仿真基于現(xiàn)有的工藝水平，選用的導體為金，其厚度為0．01 mm，由于LTCC基板的工藝精度不佳，插損比較大，故而利用陶瓷作為介質(zhì)，其介電常數(shù)εr=9．9，厚度為0．635 mm，損耗角正切值為0．006。通過軟件仿真可以計算出兩段50 Ω的線寬為W1=0．6 mm，70．7 Ω的線寬為W2=0．23 mm。電阻選為100 Ω的薄膜電阻。
    按照上面的初始參數(shù)，利用HFSS仿真的結(jié)果計算，在X波段，三個端口的駐波均在1．19以下，兩臂的公分比：端口二約為-3．1 dB，端口三約為-3．5 dB、兩臂的隔離度在-27 dB以下和兩端口的相位差為90°±5°。
2．3 x波段T／R組件的電磁兼容分析
    T／R組件中存在著數(shù)字信號、模擬信號、微波信號、直流信號和脈沖信號等。因此，電磁兼容設(shè)計將是工程實現(xiàn)，調(diào)機聯(lián)試中的難點，在設(shè)計階段，必須充分認識到電磁兼容性設(shè)計的重要性。

2．3．1 腔體效應
    腔體效應是組件EMC設(shè)計中的一個重要環(huán)節(jié)，除了諧振頻率和相應的Q值會導致組件的不穩(wěn)定工作以外，腔體內(nèi)部具體場分布特征也可能導致組件整體性能上的失敗或成品率的下降。這里設(shè)計優(yōu)化的目標是盡量降低腔體內(nèi)部場分布強度。另外，在熱耗嚴重地方(末級功率放大器芯片)不能有高強度的的場分布，如圖4所示。同時，末級功率放大器的抗失配比對整個支路的穩(wěn)定性也具有實際意義，而加上吸波材料來解決腔體自激現(xiàn)象也非常有用。

2．3．2 電源完整性
    電源的完整性設(shè)計對T／R組件的正常穩(wěn)定工作至關(guān)重要，造成電源不穩(wěn)定的根源主要在于兩個方面：一是器件高速開關(guān)狀態(tài)下，瞬態(tài)交變電流過大；二是電流回路上存在的電感。
    通過改變T／R組件內(nèi)部接地方式，尤其LTCC內(nèi)部接地方式，可以在多層布線結(jié)構(gòu)要求和地平面阻抗之間找到平衡點，對各種電源之間進行地的隔離等來改善電源之間的干擾等。

3 功率放大器設(shè)計的制造工藝
    采用中國電子科技集團第55研究所的兩只WFD0049型號GaAs功率管和加工的Wilkinson功分器，此功率管主要參數(shù)為：具有高功率輸出(Pout=40．0 dBm@8．5～10．5 GHz)、高增益(Gain=26 dB@8．5～10．5 GHz)、高效率(ηadd=35％)、帶高集成內(nèi)匹配等優(yōu)點。準備好后采用如下工藝安裝：
3．1 芯片安裝
    針對X波段高功率T／R組件來說，末級功放是發(fā)熱較大的功率器件，因此采用的共晶焊，就是通過金錫焊料將裸芯片焊接于芯片載體上，裝配時基板相應位置開孔，帶載體再通過其他方式固定于盒體底部。
3．2 電路互連
    末級放大電路互連時，芯片采用金絲熱壓焊，而基板之間的互連以及芯片電容與基板之間的互連都采用金絲球焊，為了改善微波傳輸性能，射頻輸入輸出金絲應該盡量短，盡量使用兩根金絲互連；電源饋電旁路電容離芯片距離應盡量短；大電流饋電焊點應采用兩根或三根金絲，以防單根金絲過流熔斷；饋電焊點可以采用金絲球焊，能夠增加金絲的可靠性；射頻傳輸也采用金絲球焊，同樣增加了金絲的可靠性，射頻傳輸采用金絲壓焊性能更好。結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示。

4 X波段高功率T／R組件的分析
    如圖6所示，為X波段高功率T／R組件設(shè)計的電路布局總體版圖。

    根據(jù)分析，Wilkinson功分器的插損以0．6 dB來計算，通過計算得到輸出功率達到42.4dBm，即為17．8 W，而實際制造中考慮到加工工藝水平，結(jié)果要差一些，但完全可以達到16 W。
    接收系統(tǒng)的增益大于25 dB，噪聲系數(shù)小于4 dB，移相精度為4°(RMS)，衰減精度為0．5°(RMS)。

5 結(jié) 語
    對基于X波段T／R組件的末級功放的理論設(shè)計，能滿足高功率的要求。該設(shè)計方案正在投版，由于生產(chǎn)周期原因，還要一段時間才能加工出實物，從而進行驗證，并用于正在研制的X波段T／R組件上。同時今后仍將對此改進，如進一步縮小體積，減少插損，及提高隔離度等，將來研制的方向是將所有芯片直接設(shè)計在同一塊LTCC基板上，并能達到高性能的T／R組件。