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[導(dǎo)讀](上接總第129期p.20) 2 高頻噪聲抑制組件使用中應(yīng)當(dāng)注意的一個(gè)問(wèn)題 迄今為止,本節(jié)中介紹過(guò)多種高頻噪聲抑制組件,如果把已經(jīng)介紹過(guò)的片式磁珠、片式共模電感器和片式電容器一起加進(jìn)去,那么抑制器件的內(nèi)容是

(上接總第129期p.20)
2 高頻噪聲抑制組件使用中應(yīng)當(dāng)注意的一個(gè)問(wèn)題
    迄今為止,本節(jié)中介紹過(guò)多種高頻噪聲抑制組件,如果把已經(jīng)介紹過(guò)的片式磁珠、片式共模電感器和片式電容器一起加進(jìn)去,那么抑制器件的內(nèi)容是足夠豐富了,而且每一種器件的插入損耗和阻抗特性也是足夠優(yōu)良的,但是在實(shí)際線路應(yīng)用時(shí),則未必盡然。究其原因,這些器件的插入損耗都是在測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的特定條件(測(cè)試用的信號(hào)源的內(nèi)阻是50Ω;測(cè)試用的測(cè)量接收機(jī)的輸入阻抗也是50Ω)下進(jìn)行的。而接入實(shí)際線路當(dāng)中的噪聲源和負(fù)載(接在高頻噪聲抑制組件后面的受保護(hù)線路)的阻抗卻是一個(gè)未知數(shù)(可能大于,也可能小于50Ω;甚至有可能在某些頻點(diǎn)上是大于50Ω,而在另外一些頻點(diǎn)上卻是小于50Ω),所以情況非常復(fù)雜,使得高頻噪聲抑制組件的使用效果難于預(yù)測(cè)。
    為此在圖10中給出了高頻噪聲抑制組件的一般使用原則:當(dāng)電路是高阻抗的,可選用電容型濾波器(或π型濾波器);如果電路是低阻抗的,可選用電感型濾波器(或T型濾波器)。如果濾波電路兩側(cè)的阻抗相差較大時(shí),則對(duì)阻抗低的一側(cè),采用電感型濾波器;而對(duì)阻抗高的一側(cè),采用電容型濾波器。這種處理會(huì)使濾波效果大大提高。

 


3 片式高頻噪聲抑制組件的應(yīng)用例
    1)片式復(fù)合繞線型濾波組件應(yīng)用例
    圖11為繞線型濾波組件用在抑制傳輸線路上的電磁干擾例。在圖ll(a)中用低功耗TTL集成電路搭成一個(gè)振蕩電路,然后在電波暗室中對(duì)該電路電磁發(fā)射情況進(jìn)行測(cè)試。圖ll(b)是在沒(méi)有任何改進(jìn)措施下的測(cè)試,可以看出在各測(cè)試頻率點(diǎn)上超差的情況很多,而且傳輸?shù)牟ㄐ斡惺д?見(jiàn)圖左側(cè)的示波圖)。作為一個(gè)改進(jìn)措施,在振蕩器的輸出端子上串聯(lián)一個(gè)復(fù)合繞線型濾波組件(11(c)),由于濾波組件有優(yōu)異的濾波特性,使振蕩電路電磁發(fā)射的高頻部分有很大衰減;同時(shí),考慮到復(fù)合型濾波組件有非常陡峭的衰減特性,使波形的低頻部分得到了很好保留,因此經(jīng)復(fù)合型濾波組件濾波的波形畸變最小。作為與圖11(c)的對(duì)比,圖11(d)在振蕩器輸出端串了一個(gè)三端電容,由于三端電容會(huì)同時(shí)衰減信號(hào)和噪聲頻率,尤其是低頻段的頻率,使信號(hào)波形產(chǎn)生較大的失真。由此可見(jiàn),圖11(c)是比較好的方案。

 

    2)片式阻容復(fù)合濾波組件應(yīng)用例(1)
    圖12為片式阻容復(fù)合濾波組件用在抑制傳輸線路上的電磁干擾例。圖1 2(a)用CMOs電路搭成的振蕩器。圖12(b)是振蕩器輸出端未采取任何騷擾抑制措施時(shí)在電波暗室中的輻射發(fā)射的測(cè)試結(jié)果,可以看出在許多頻率點(diǎn)上的輻射是超標(biāo)的。另外,要特別提醒注意的是,在圖12(b)右側(cè)特別強(qiáng)調(diào)印刷電路板有良好的接地層(印刷電路板的背面整個(gè)是一個(gè)接地層)。圖12(c)是在振蕩器輸出端采用普通二端電容器(100pF)時(shí)的噪聲抑制情況。圖12(d)是在振蕩器輸出端采用NFR21GD4701012(片式阻容復(fù)合濾波組件)時(shí)的噪聲抑制情況。就圖12(c)和圖12(d)的輻射噪聲測(cè)試結(jié)果看,難分伯仲,也就是說(shuō)就目前的接地和采用抑制器件的方式,對(duì)輻射噪聲的抑制都是有效的。

 

    作為對(duì)比,在圖13印刷電路的背面是一層光板,見(jiàn)圖13(a),再做與圖12類似的試驗(yàn),結(jié)果發(fā)現(xiàn)圖13(c)(在振蕩器輸出端采用NFR21GD4701012片式阻容復(fù)合濾波組件)的試驗(yàn)結(jié)果要明顯好于圖l3(b)(振蕩器輸出端采用l00pF普通二端電容器)。這就是說(shuō)采用普通電容器(100pF)在地線不良時(shí)的噪聲抑制效果將變差。而采用NFR21GD4701012,即使地線不良,由于采用分布參數(shù)的電路結(jié)構(gòu),限制了涌入的電流,也能使噪聲抑制取得一定效果。

 

    3)片式阻容復(fù)合濾波組件應(yīng)用例(2)
    圖14為片式阻容復(fù)合濾波組件用在抑制傳輸線路上的波形失真例。其中,圖14(a)為CMOS電路搭成的振蕩器,振蕩器輸出經(jīng)長(zhǎng)線傳輸?shù)竭h(yuǎn)端一個(gè)倒相器。圖14(b)是未經(jīng)采取任何波形改善措施,在倒相器輸入端測(cè)到的波形,由于IC內(nèi)部的分布電容和傳輸線分布電感之間的諧振,使得波形產(chǎn)生了上沖和下沖。圖14(c)采用普通電容器作為濾波器時(shí),由于普通電容器沒(méi)有抑制波形失真的能力,所以不能抑制波形中的振蕩情況。圖14(d)是采用NFR2lG之后,從在倒相器輸入端測(cè)到的波形,可以看出它對(duì)波形失真有改善的能力,可以使波形中的振蕩情況減至最小。比較圖12、13和14,可以看出片式阻容復(fù)合濾波組件NFR21G對(duì)抑制傳輸線的輻射和改善傳輸線上的波形失真都有一定好處。

 

    4)表面貼裝的高性能濾波器應(yīng)用例(1)
    一般而言,開(kāi)關(guān)電源的直流電壓輸出端子由于濾波電容的性能不完善,導(dǎo)致輸出噪聲的峰峰值偏大(對(duì)5V電源言,噪聲電壓的峰峰值可以達(dá)100mV;對(duì)12V電源言,可達(dá)200mV;對(duì)24V電源言,可達(dá)500mV),對(duì)于不少模擬線路來(lái)說(shuō),這顯得太大一些,往往需要把噪聲電壓設(shè)法降低,但事實(shí)告訴我們,這不是輕易能辦到的事情。圖15中是采用表面貼裝的高性能濾波器來(lái)改善輸出電壓噪聲的例子。其中,圖15(a)表示在開(kāi)關(guān)電源的5V輸出端子上串一個(gè)BNX002—01的表面貼裝高性能濾波器。作為對(duì)比,圖15(b)是未加濾波器時(shí)的輸出噪聲的測(cè)量情況,圖中的電壓峰峰值幾乎達(dá)到200mV。而圖15(c)則是采用濾波器之后的噪聲電壓測(cè)試情況,圖中的輸出幾乎成為一條直線,說(shuō)明輸出電壓的噪聲已明顯得到抑制,從而非常好地說(shuō)明了該表面貼裝高性能濾波器在這個(gè)線路中的作用。

 

    5)表面貼裝的高性能濾波器應(yīng)用例(2)
    圖16是使用表面貼裝高性能濾波器的又一個(gè)應(yīng)用例子。圖16(a)顯示了干擾脈沖的波形,這是用符合日本電磁兼容抗擾度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)要求的高頻噪聲模擬器(高頻噪聲模擬器的作用類似于國(guó)內(nèi)采用的脈沖群發(fā)生器,同樣也是將干擾波形疊加在電源線或信號(hào)線上,用來(lái)測(cè)試被試品的抗干擾能力。發(fā)生器的特性阻抗為50Ω,在50Ω匹配時(shí)測(cè)量得到的脈沖波形最大幅值可以達(dá)到2000V,這些都和脈沖群發(fā)生器相當(dāng);唯發(fā)生器輸出波形為方波,脈寬可調(diào),可以從50ns開(kāi)始分級(jí)調(diào)整到1000ns;發(fā)生器的輸出脈沖頻率可調(diào),從20個(gè)脈沖/s調(diào)整到80個(gè)脈沖/s)的波形作干擾源,來(lái)考核表面貼裝的高性能濾波器的作用。圖16(b)是經(jīng)表面貼裝高性能濾波器BNX002后的輸出情況,說(shuō)明已經(jīng)得到了充分的濾波,從而證明了這種濾波器的作用。

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