MOS-FET開關(guān)電路
MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路。
MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路。
LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
關(guān)鍵字: 驅(qū)動電源LED 驅(qū)動電源作為 LED 照明系統(tǒng)的 “心臟”,其穩(wěn)定性直接決定了整個照明設(shè)備的使用壽命。然而,在實際應(yīng)用中,LED 驅(qū)動電源易損壞的問題卻十分常見,不僅增加了維護成本,還影響了用戶體驗。要解決這一問題,需從設(shè)計、生...
關(guān)鍵字: 驅(qū)動電源 照明系統(tǒng) 散熱LED通用照明設(shè)計工程師會遇到許多挑戰(zhàn),如功率密度、功率因數(shù)校正(PFC)、空間受限和可靠性等。
關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動電源 功率因數(shù)校正在LED照明技術(shù)日益普及的今天,LED驅(qū)動電源的電磁干擾(EMI)問題成為了一個不可忽視的挑戰(zhàn)。電磁干擾不僅會影響LED燈具的正常工作,還可能對周圍電子設(shè)備造成不利影響,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障。因此,采取有效的硬件措施來解決L...
關(guān)鍵字: LED照明技術(shù) 電磁干擾 驅(qū)動電源開關(guān)電源具有效率高的特性,而且開關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動電源
關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動電源 開關(guān)電源