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基于HMC792LP4E的DC-6GHz數(shù)字衰減設(shè)計(jì)方案

時(shí)間：2010-04-17 23:00:33

關(guān)鍵字： HZ HM DC 6G

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[導(dǎo)讀]HMC792LP4E是Hittite公司的一個(gè)寬帶6位GaAs IC數(shù)字衰減器，采用低成本的無(wú)鉛SMT封裝。該通用數(shù)字衰減器集成了片外交流接地電容器，實(shí)現(xiàn)了接近DC的運(yùn)行，使其適用于各種RF和IF應(yīng)用。雙模式控制接口兼容CMOS/TTL，

HMC792LP4E是Hittite公司的一個(gè)寬帶6位GaAs IC數(shù)字衰減器，采用低成本的無(wú)鉛SMT封裝。該通用數(shù)字衰減器集成了片外交流接地電容器，實(shí)現(xiàn)了接近DC的運(yùn)行，使其適用于各種RF和IF應(yīng)用。

雙模式控制接口兼容CMOS/TTL，可接受一個(gè)3線串行輸入或者一個(gè)6位并行代碼。HMC792LP4E還具有用戶(hù)自定義的開(kāi)機(jī)狀態(tài)以及一個(gè)用于串聯(lián)Hittite串行控制組件的輸出端口。HMC792LP4E采用滿(mǎn)足RoHS要求的4mm×4mm QFN無(wú)鉛封裝，無(wú)需外部匹配組件。

HMC792LP4E主要特性

• 0.25dB LSB步進(jìn)到15.75dB

• 開(kāi)機(jī)狀態(tài)選擇

• 高輸入IP3：+55dBm

• 低插入損耗：2.0GHz時(shí)為1.8dB

• 兼容TTL/CMOS、串行、并行或者閉鎖并行控制

• 典型值為±0.2dB的階躍誤差

• 單個(gè)+3V或+5V的電源

• 24引腳 4mm×4mm SMT封裝

圖1 HMC792LP4E功能方框圖

圖2 HMC792LP4E應(yīng)用電路

表1 評(píng)估板PCB 118853材料列表

HMC792LP4E典型應(yīng)用

• 蜂窩/3G基礎(chǔ)設(shè)備

• WiBro/WiMAX/4G

• 微波無(wú)線電和VSAT

• 測(cè)試設(shè)備和傳感器

• IF和RF應(yīng)用

圖3 HMC792LP4E評(píng)估板PCB布局圖

針對(duì)頻率低于700MHz的應(yīng)用，建議使用ACG電容C4、C5和C6。對(duì)于頻率大于700MHz的應(yīng)用，無(wú)論是否使用ACG電容，HMC792LP4E的性能相差不大。

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關(guān)鍵字：中國(guó) 6G 專(zhuān)利申請(qǐng)

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