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可在低頻~5MHZ范圍內(nèi)振蕩的高頻電路

時(shí)間：2010-05-25 22:24:41

關(guān)鍵字：低頻高頻電路振蕩 HZ

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[導(dǎo)讀]電路的功能射極耦合多諧振蕩器可作為大變化范圍的壓控振蕩器使用。通過(guò)對(duì)射極電流進(jìn)行控制，便可直接實(shí)現(xiàn)FM調(diào)制。改變電容器C2，頻率范圍可為數(shù)赫茲~5MHZ。此外，本電路作為VCO使用時(shí)，采用0~5V的控制電壓，可獲得約

電路的功能

射極耦合多諧振蕩器可作為大變化范圍的壓控振蕩器使用。通過(guò)對(duì)射極電流進(jìn)行控制，便可直接實(shí)現(xiàn)FM調(diào)制。改變電容器C2，頻率范圍可為數(shù)赫茲~5MHZ。此外，本電路作為VCO使用時(shí)，采用0~5V的控制電壓，可獲得約15倍以上的變化范圍。

電路工作原理

TT2、TT3是射極耦合的多揩振蕩電路，在射極和地之間接耦合電阻，蔌象本電路那樣，增加TT4和TT5組成的恒流電路，用基極電壓對(duì)電流進(jìn)行控制。二極管D2和D3為箝位地極管，可提高開關(guān)轉(zhuǎn)換速度。

采用圖中的參數(shù)，偏壓為5V時(shí)，可用下式算出振蕩頻率，即FO≈3.3*10的3次方/C2。對(duì)環(huán)境溫度變化呈正的溫度系數(shù)，這是因?yàn)榫w管的VBE溫度系數(shù)為負(fù)，所以射極電流呈正系數(shù)。為此，把PNP的晶體管TT1作為補(bǔ)償電路，為基極-集電極之間的二極管D1對(duì)VBE進(jìn)行補(bǔ)償，同時(shí)，TT1還完成TT4和TT5的VBE電平移位。

從TT3的集電極輸出振蕩信號(hào)，振幅為+VCC-0.6V。用電容器C3隔去直流，然后用射極輸出器輸出。

元件的選擇

雖然振蕩頻率的穩(wěn)定性不很好，但由于電路本身的溫度系數(shù)為正，所以電容器C2可選用具有正系數(shù)的聚酯薄膜電容。晶體管的選擇與頻率有關(guān)，小信號(hào)晶體管基本上都可滿足要求。

調(diào)整

從置偏輸入端輸入穩(wěn)定電壓，電壓范圍為0~5V時(shí)，若按本電路的參數(shù)，振蕩頻率范圍應(yīng)為10~150KHZ。因?yàn)榭梢栽O(shè)定使振蕩頻率FO=100K 的偏壓或者利用穩(wěn)定的電源電壓，象圖中虛線那樣再連接VR1對(duì)振蕩頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)。

作為PLL電路的VCO使用時(shí)，去掉R1和D1，加大輸入電阻，把相們比較器輸出接到置偏輸入端即可。

照片A示出偏壓為3.3V（FO=100KHZ），從調(diào)制輸入端輸入1KHZ，-20DBM調(diào)制信號(hào)時(shí)的FM頻譜。因?yàn)椴捎弥苯诱{(diào)制方式，所以可以獲得大的頻率偏移。

應(yīng)用說(shuō)明

本電路的參數(shù)是按振蕩頻率為100KHZ設(shè)計(jì)的，但射極耦合多諧振蕩器的振蕩頻率可在10MHZ以上。為了在更高的頻率下工作，可加大晶體管TT2、TT3的射極電流，R4、R5的阻值在數(shù)百歐姆以下，R6、R7小于100歐。當(dāng)然決定振蕩頻率的C2的容量也要小。

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