IDW 2008 ( International Display Workshops)已于2008年12月3日至5日，于日本新潟縣(Niigata City) Toki Messe Convention Center 舉行，由The Institute of Image Information and Television Engineers (ITE)及The Society for Information Display(SID)所主辦，是顯示器相關(guān)產(chǎn)業(yè)每年年末的最后一場盛會(huì)，多家顯示器大廠以及相關(guān)的材料廠商藉此宣示其最新技術(shù)，學(xué)術(shù)界也藉以發(fā)表其研究成果。本次的研討會(huì)主要分為15項(xiàng)主題(表一)，OLED為其中的一個(gè)研討會(huì)分項(xiàng)，除此之外，其它研討會(huì)分項(xiàng)中也有OLED的出現(xiàn)，如Active Matrix Displays及Flexible Displays。本文主要就各家大廠和學(xué)術(shù)界的論文中觀察OLED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展動(dòng)向和趨勢，針對OLED 相關(guān)的材料、組件及制程上的最新發(fā)展做一個(gè)簡介。

前言
sony在2007年推出世界第一臺(tái)量產(chǎn)的OLED TV XEL-1，為市場注入了一劑強(qiáng)心針，OLED的研發(fā)競賽又開始加溫，然而2008年下半年全球金融海嘯爆發(fā)后，全球的消費(fèi)力大減，LCD產(chǎn)業(yè)更面臨前所未有的挑戰(zhàn)，與之競爭的OLED產(chǎn)業(yè)自然不能幸免，除了研發(fā)的腳步要加快之外，cost down的速度也是重要的關(guān)鍵之一。針對各家材料大廠對于OLED相關(guān)材料的最新研究成果以及面板廠商的最新制作技術(shù)，分別介紹如下。

(1) New singlet blue and green emitters for OLED applications --- Merck, Germany
Merck公司發(fā)表他們的OLED熒光材料，分別介紹天空藍(lán)(sky blue)，深藍(lán)(deep blue)和綠光(green)材料。

(2) Novel Host Material Based on Benzodifuran with Ambipolar Charge Transport Properties --- Tokyo University, Japan
東京大學(xué)發(fā)表結(jié)構(gòu)如圖一所示的主發(fā)光體材料CZBDF，其Tg點(diǎn)為162℃，熱穩(wěn)定性質(zhì)良好，LUMO = 2.47 eV，HOMO = 5.79 eV。重要的是，此主發(fā)光體材料具有ambipolar的性質(zhì)，由圖二可得知，其電子和電洞的傳輸速度都在~10-3，都相當(dāng)高。

圖一、主發(fā)光體材料CZBDF的結(jié)構(gòu)

(3) Systematic Development of Soluble OLED Materials at Merck --- Merck, Germany
Merck的可溶性O(shè)LED材料的組件結(jié)構(gòu)皆為ITO /PEDOTPSS / HIL / LEP / Ba / Al。在其藍(lán)光組件中添加一定比例的單體，可以大幅增加組件的壽命，而且不改變發(fā)光的色純度，如圖二所示。更進(jìn)一步控制分子量的大小在450000 g/mol以上時(shí)，可以增加組件的壽命至1200小時(shí)（1000nits）。

圖二、可溶性藍(lán)光OLED組件的壽命和發(fā)光亮度的關(guān)系

(4) 102 lm/W White Phosphorescent OLED --- UDC, USA
UDC發(fā)表兩個(gè)白光OLED組件，其發(fā)光效率分別為89 lm/W和102 lm/W，打破目前的世界紀(jì)錄，相當(dāng)令人注目，但是詳細(xì)的材料和組件結(jié)構(gòu)并未揭露。這兩個(gè)白光組件WOLED-1和WOLED-2的CIE坐標(biāo)分別為(0.41, 0.46)和(0.48, 0.46)，色溫則為3900K和2800K，其EL光譜如圖三。

圖三、白光組件的EL光譜

(5) Horizontal Dipping Method for Simple Fabricating OLEDs --- Kwangwoon University, Korea
一種新的solution-process的方法被提出，命為Horizontal Dipping (H-dipping)，圖四為其示意圖，由調(diào)控圓柱體和基板的距離(h)，以及基板的移動(dòng)速度(V)，可以準(zhǔn)確的控制有機(jī)發(fā)光膜層的厚度和均勻性，組件結(jié)構(gòu)為ITO / PEDOT:PSS / EL layer / CsF / Al，如圖五為其移動(dòng)速度和膜層厚度的關(guān)系。在10cm x 10 cm的基板上，使用H-dipping的方法可以得到均勻度很高的膜層，平均粗糙度(roughness)只有0.897 nm。

圖四、H-dipping的示意圖

圖五、膜層厚度和基板移動(dòng)速度的關(guān)系圖